論文の概要: Direct On-Wafer Measurements of Noise Parameters in C- and X-bands at $T=4$ K

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2605.17073v1
• Date: Sat, 16 May 2026 16:43:00 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-05-19 17:57:47.594694
• Title: Direct On-Wafer Measurements of Noise Parameters in C- and X-bands at $T=4$ K
• Title（参考訳）: CバンドとXバンドのT=4$Kにおけるノイズパラメータの直接オンウェーハ測定
• Authors: Daniil Frolov, Jean-Olivier Plouchart, Utku Soylu,
• Abstract要約: 本稿では、ソースプル法により得られたFETノイズパラメータのセットアップと直接オンウェーハ測定結果について述べる。 ノイズ温度の値は、独立および代替測定技術を用いて得られたものと比較する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: This paper describes the setup and the results of the direct on-wafer measurements of a FET noise parameters obtained with a source-pull method at temperatures down to T=4K and in the 5-12 GHz frequency range. The setup consists of a cryostat with wafer probes, two reflectometers, a programmable impedance generator, wideband isolators and bias tees and low noise preamplifier, all cooled to cryogenic temperatures, allowing to perform a full vector error-corrected wafer-level measurements of the discrete transistors and amplifier dies. The setup and its calibration procedure are designed in a such way that allows simultaneous calibration, S-parameters, noise parameters and I-V curve measurements of several FETs all in one cooldown. Using the described setup we perform first measurements of 14nm FinFETs and also measure noise parameters of an LNA based on these FETs. Resulting noise temperature values are compared against those obtained using independent and alternative measurement techniques.
• Abstract（参考訳）: 本稿では,T=4K帯および5-12GHz帯において,ソースプル法を用いて得られたFETノイズパラメータのセットアップと実測結果について述べる。 セットアップは、ウェハプローブと2つの反射計、プログラマブルインピーダンス発生器、広帯域アイソレータ、バイアスティー、低ノイズプリアンプを備えたクライオスタットで構成され、全て低温に冷却され、離散トランジスタと増幅ダイの完全なベクトル誤差補正ウエハレベル測定を行うことができる。 設定と校正手順は、複数のFETの同時校正、Sパラメータ、ノイズパラメータ、I-V曲線の測定を1回の冷却ダウンで行えるように設計されている。 記述した設定を用いて14nmFinFETの最初の測定を行い、これらのFETに基づいてLNAの雑音パラメータを測定する。 ノイズ温度の値は、独立および代替測定技術を用いて得られたものと比較する。

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