Fugu-MT 論文翻訳(概要): Gate induced strain on a two-dimensional hole gas in silicon

論文の概要: Gate induced strain on a two-dimensional hole gas in silicon

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2607.07932v1
Date: Wed, 08 Jul 2026 21:26:17 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2026-07-10 14:45:27.346679
Title: Gate induced strain on a two-dimensional hole gas in silicon
Title（参考訳）: シリコン中の2次元ホールガスにおけるゲート誘起ひずみ
Abstract要約: アルミニウムゲートの厚みが増し、チャネル内のひずみが増大すると、第2サブバンドが起動する。温度依存性の磁気輸送測定により、異なるシクロトロン質量が明らかになる。測定されたサイクロトロン質量は、理想化されたヘヴィホール(HH)/ライトホール(LH)の画像に期待されるものとは異なる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: We show the effect of gate-induced strain on the valence band of a silicon (Si) metal oxide semiconductor (MOS) confined two-dimensional hole gas (2DHG). Increasing aluminum gate thickness, and thereby the strain in the channel, results in the onset of a second subband contributing to Shubnikov-de Haas oscillations. Temperature-dependent magnetotransport measurements reveal distinct cyclotron masses of $m_c^*=(0.36\pm0.04)m_0$ and $m_c^*=(0.49\pm0.02)m_0$. The measured cyclotron masses differ from those expected for an idealized heavy-hole (HH)/light-hole (LH) picture, reflecting the combined influence of quantum confinement, strain, and HH-LH mixing on the valence band.
Abstract（参考訳）: シリコン(Si)金属酸化物半導体(MOS)の2次元ホールガス(2DHG)の原子価帯に及ぼすゲート誘起ひずみの影響を示す。アルミニウムゲートの厚みが増し、チャネル内のひずみが増加し、シュブニコフ・ド・ハース振動に寄与する第2サブバンドが誕生する。温度依存性の磁気輸送測定により、m_c^*=(0.36\pm0.04)m_0$とm_c^*=(0.49\pm0.02)m_0$の異なるサイクロトロン質量が明らかになった。測定されたサイクロトロン質量は、量子閉じ込め、ひずみ、HH-LH混合が原子価帯に与える影響を反映して、理想化重孔(HH)/光孔(LH)像に期待されるものとは異なる。

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