Fugu-MT 論文翻訳(概要): Spectroscopy of low-lying valley states in hot Si/SiGe quantum dots

論文の概要: Spectroscopy of low-lying valley states in hot Si/SiGe quantum dots

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2607.11048v1
Date: Mon, 13 Jul 2026 03:23:38 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2026-07-14 17:47:21.323817
Title: Spectroscopy of low-lying valley states in hot Si/SiGe quantum dots
Title（参考訳）: 高温Si/SiGe量子ドットにおける低層谷状態の分光
Authors: Connor Nasseraddin, Heun Mo Yoo, Tanner M. Janda, Jason R. Petta,
Abstract要約: Siの低い谷の状態は、大規模なスピンベースの量子プロセッサの開発を妨げる可能性がある。パルスゲート分光法(PGS)とデチューニング軸分光法(DAPS)を700mKまでの温度で比較した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: The presence of low-lying valley states in Si may hinder the development of large-scale spin-based quantum processors. Rapid prototyping of novel Si/SiGe heterostructures and gate stacks will be central to identifying pathways that increase the valley splitting. We compare the performance of pulsed-gate spectroscopy (PGS) and detuning axis spectroscopy (DAPS) at temperatures up to 700 mK. We find that DAPS outperforms PGS, with DAPS resolving valley splittings as small as ~86 $μ$eV, while the energy resolution of PGS is only ~210~$μ$eV. Our work demonstrates that DAPS can be used to efficiently extract valley splittings at elevated temperatures in high throughput cryostats.
Abstract（参考訳）: Si中の低層バレー状態の存在は、大規模なスピンベースの量子プロセッサの開発を妨げる可能性がある。新規Si/SiGeヘテロ構造とゲートスタックの迅速なプロトタイピングは、谷分割を増加させる経路の同定の中心となる。パルスゲート分光法(PGS)とデチューニング軸分光法(DAPS)を700mKまでの温度で比較した。 DAPS は PGS より優れており、DAPS は ~86$μ$eV の谷分割を解き、PGS のエネルギー分解能は ~210~$μ$eV である。本研究は,DAPSを用いて高温における谷分割を効率的に抽出できることを実証する。

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