論文の概要: Flip-chip integrated superconducting qubits using electroplated bump bonds
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2608.07306v1
- Date: Fri, 07 Aug 2026 15:01:24 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-08-10 16:21:25.537601
- Title: Flip-chip integrated superconducting qubits using electroplated bump bonds
- Title（参考訳）: 電気めっきバンプ結合を用いたフリップチップ集積超伝導量子ビット
- Abstract要約: 電気めっきインジウムを用いた3次元トランスモンアーキテクチャを開発した。
超伝導量子回路用電析インジウム配線の評価を行った。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.5030949006750438
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Flip-chip integration offers a promising route toward scalable superconducting quantum processors and hybrid semiconductor-superconductor quantum devices. We develop a three-dimensional transmon architecture using electroplated indium in which the qubit electric field is shared nearly equally between two bump-bonded substrates while maintaining low participation at the indium-bump interface. The resulting geometry is well suited for future hybrid qubits, enabling the integration of distinct material platforms while minimizing sensitivity to bump-interface loss. Using this platform, we evaluate electroplated indium interconnects for superconducting quantum circuits. Flip-chip transmons incorporating electroplated indium bumps exhibit qubit quality factors around $10^6$. In addition, a systematic study of coplanar-waveguide resonators is used to identify losses associated with the electroplating process. In particular, we find that surface losses associated with the gold-layer, used to enable good electric contact with the indium, is likely the primary contributor to the qubit decay rate. These results demonstrate the compatibility of electroplated indium technology with high-coherence superconducting circuits and establish a promising platform for three-dimensional hybrid quantum integration.
- Abstract（参考訳）: Flip-chip統合は、スケーラブルな超伝導量子プロセッサとハイブリッド半導体-超伝導量子デバイスへの有望な経路を提供する。
電気めっきインジウムを用いた3次元トランスモンアーキテクチャを試作し,2つのバンプ結合基板間で量子ビット電界をほぼ等しく共有し,インジウム-バンプ界面での低参加性を維持した。
結果として得られる幾何は将来のハイブリッド量子ビットに適しており、異なる材料プラットフォームの統合を可能にしつつ、バンプ・インタフェース損失に対する感度を最小化することができる。
このプラットフォームを用いて,超伝導量子回路のための電気めっきインジウム配線の評価を行った。
電気めっきインジウムバンプを用いたフリップチップトランスモンは10^6$前後のクビット品質因子を示す。
さらに、コプラナー・導波管共振器の系統的研究により、電気めっきプロセスによる損失を同定する。
特に、インジウムとの良好な電気接触を可能にするために使用される金層に付随する表面の損失が、クォービット崩壊率の主要な原因である可能性が示唆された。
これらの結果は、高コヒーレンス超伝導回路と電気めっきインジウム技術の互換性を示し、三次元ハイブリッド量子積分のための有望なプラットフォームを確立した。
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