論文の概要: Towards Stirling cooler operable single-photon sources based on low-noise GaAs quantum dots
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2608.24409v1
- Date: Tue, 25 Aug 2026 11:19:57 GMT
- ステータス: 翻訳完了
- システム内更新日: 2026-08-26 14:09:34.945093
- Title: Towards Stirling cooler operable single-photon sources based on low-noise GaAs quantum dots
- Title（参考訳）: 低ノイズGaAs量子ドットに基づくスターリングクーラー動作可能な単一光子源を目指して
- Abstract要約: 低雑音GaAs量子ドットにおける負のトリオンの放射崩壊によって生じる光子の温度依存性の2光子干渉測定について述べる。
この損失は、エネルギ的にクローズドなトリオン状態とのカップリングによって説明できることを示すとともに、エネルギ発生速度のパーセル向上や励起状態のエネルギー分離の増加によって、高温での光子の不識別性を高めることができることを示唆する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.08663199865542899
- License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
- Abstract: For photonic quantum technology applications, sources capable of emitting photons with indistinguishability close to unity are essential. Ideally, these sources should not require demanding cooling systems. Here, we present temperature-dependent two-photon-interference measurements on photons produced by the radiative decay of the negative trion in a low-noise GaAs quantum dot, which are in quantitative agreement with theoretical calculations accounting for carrier-phonon interactions and coupling to excited states. While at at the lowest explored temperatures the emission linewidth reaches values only 6(2) % above the Fourier limit and the indistinguishability I between subsequently emitted photons reaches 0.966(6), the latter drops to 0.05(4) at 55 K. We show that this loss can be explained with the coupling with energetically close excited trion states and suggest that the photon indistinguishability at elevated temperatures can be increased by employing Purcell enhancement of the emission rate or by increasing the energy separation of the excited states. Using cavity-enhanced emission, we experimentally verify the first route and demonstrate an improvement in photon indistinguishability from 0.314(25) to 0.80(3) at 32 K, which - to our knowledge - is the highest reported value at such temperature.
- Abstract（参考訳）: フォトニック量子技術応用においては、ユニティに近づきにくい光子を放出できる光源が不可欠である。
理想的には、これらのソースは必要な冷却システムを必要としない。
ここでは,低雑音のGaAs量子ドットにおける負のトライアンの放射崩壊によって生じる光子の温度依存性の2光子干渉測定について,キャリアフォノン相互作用と励起状態とのカップリングを考慮した理論的計算と定量的に一致した。
最低温度では、光線幅はフーリエ限界よりわずか6(2) %高く、光子間の不連続性Iは0.966(6)にしか達しないが、後者は55Kで0.05(4)に低下し、この損失はエネルギ的にクローズドな三元子状態との結合と説明でき、高温度での光子不連続性は、放出速度のパーセル増強や励起状態のエネルギー分離の増大によって増大させることができることを示唆する。
キャビティ強化エミッションを用いて第1経路を実験的に検証し,32Kで0.314(25)から0.80(3)まで光子不連続性の改善を実証した。
関連論文リスト
- Two-photon interference from as-grown InAsP/InP quantum dots under detuned excitation [0.0]
32 meVの大規模な励起デチューニングは、ほぼ共鳴励起のいくつかの利点を保持しながら散乱レーザー光の効率的な抑制を可能にする。
分子線エピタキシーにより成長したInAsP/InP量子ドットの可能性を示す。
論文 参考訳（メタデータ） (2026-07-29T14:23:33Z) - Site-Controlled Purcell-Induced Bright Single Photon Emitters in Hexagonal Boron Nitride [62.170141783047974]
六方晶窒化ホウ素(hBN)でホストされる単一光子エミッタは、室温で動作する量子フォトニクス技術にとって必須の構成要素である。
我々はPurcellにより誘導されるサイト制御SPEのためのプラズモンナノ共振器の大規模アレイを実験的に実証した。
我々の結果は、明るく、均一に統合された量子光源の配列を提供し、堅牢でスケーラブルな量子情報システムへの道を開いた。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-05-03T23:02:30Z) - Quantum Emitters in Aluminum Nitride Induced by Zirconium Ion
Implantation [70.64959705888512]
本研究は, 窒化アルミニウム(AlN)をオンチップフォトニクスに高度に適合する特性を有する材料として検討した。
ジルコニウム (Zr) およびクリプトン (Kr) 重イオン注入によるAlN中の単一光子発光体の生成と光物性の総合的研究を行った。
532nmの励起波長では、イオン注入によって誘起される単一光子エミッタは、ZrおよびKrイオンのAlN格子の空孔型欠陥と主に関連していることがわかった。
論文 参考訳（メタデータ） (2024-01-26T03:50:33Z) - Nanocavity enhanced photon coherence of solid-state quantum emitters operating up to 30 K [0.0]
温度依存性の異なる2つのフォノン相互作用を実験的に解いた。
フォトニックナノキャビティとのカップリングにより,高温での光子のコヒーレンスを大幅に改善できることを示す。
実験で観測されたフォノンの温度依存性の影響を完全に捉えるポーラロンモデルを導出する。
論文 参考訳（メタデータ） (2023-05-09T17:29:19Z) - Position-controlled Telecom Single Photon Emitters Operating at Elevated
Temperatures [0.0]
InAsP量子ドット・イン・ア・ロッド構造を有するInPフォトニック導波路ナノワイヤを用いて1.31mで高純度単一光子放射を示す。
これらの結果は、リラックスした冷却条件下で動作する通信用単一光子エミッタを確実に製造する上で有望なステップである。
論文 参考訳（メタデータ） (2022-10-23T19:43:07Z) - Silicon nitride waveguides with intrinsic single-photon emitters for
integrated quantum photonics [97.5153823429076]
我々は、SiN中の固有の単一光子放射体から、同じ物質からなるモノリシック集積導波路への光子の最初のカップリングに成功したことを示す。
その結果、スケーラブルでテクノロジー対応の量子フォトニック集積回路の実現に向けた道を開いた。
論文 参考訳（メタデータ） (2022-05-17T16:51:29Z) - Three-photon excitation of quantum two-level systems [0.0]
我々は、共鳴三光子過程において、半導体量子ドットを効率的に励起できることを実証した。
時間依存フロケ理論は多光子過程の強度を定量化するために用いられる。
我々はこの手法を利用してInGaN量子ドットの固有特性を探索する。
論文 参考訳（メタデータ） (2022-02-04T09:20:24Z) - Hot-Band Absorption Can Mimic Entangled Two-Photon Absorption [52.77024349608834]
CWレーザーまたは光子対源を1060nmで励起したRhodamine 6G, LDS798の蛍光信号について検討した。
地中電子状態の熱拡散振動レベルからの1光子吸収であるホットバンド吸収(HBA)から生じる信号を観察した。
E2PEFの測定を行う典型的な条件では、HBAプロセスからのコントリビューションは、励起効率の量子上の利点を過度に見積もる可能性がある。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-11-10T21:17:47Z) - Room temperature single-photon emitters in silicon nitride [97.75917079876487]
二酸化ケイ素基板上に成長した窒化ケイ素(SiN)薄膜における室温単一光子放射体の初観測について報告する。
SiNは近年、集積量子フォトニクスの最も有望な材料として登場し、提案されたプラットフォームは、量子オンチップデバイスのスケーラブルな製造に適している。
論文 参考訳（メタデータ） (2021-04-16T14:20:11Z) - Temperature insensitive type II quasi-phasematched spontaneous
parametric downconversion [62.997667081978825]
チタニルカリウム (KTP) の屈折率の温度依存性は, 準相整合II型自然パラメトリックダウンコンバージョンを可能にすることが示されている。
電気通信Oバンド内の1326nmの温度非感応性退化発光を実験的に観察し,その効果を実証した。
この結果は、資源制約環境のための絡み合った光子源の開発に実用的応用をもたらす。
論文 参考訳（メタデータ） (2020-12-09T16:14:15Z)
関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。
指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。