論文の概要: Superconducting Flux Memory for Cryogenic Applications

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2609.00772v1
• Date: Tue, 01 Sep 2026 06:01:53 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-09-02 16:31:36.408529
• Title: Superconducting Flux Memory for Cryogenic Applications
• Title（参考訳）: 低温用超電導フラックスメモリ
• Authors: Tony X. Zhou, John McFarland, Aruna N. Ramanayaka, Brian Sears, Colin Stack, Aref Fouladi, Robert Smith, Sambarta Rakshit, Zachary A. Stegen, Keith D. Hillaire, Moe Khalil, Robert M. Young, David G. Ferguson, Anthony J. Przybysz, John X. Pryzbysz, Mark Covington, Gregory R Boyd, Jeremy Clark, Aaron Pesetski,
• Abstract要約: 超伝導回路を用いたフラックスメモリの開発について報告する。 この技術は、量子ビットのような超伝導回路にフラックスバイアスを与えるために、チップ上の超伝導ループに永続的な電流を蓄積する。 本研究では,フラックスメモリを用いてトランスモン量子ビットのフラックスバイアスを行い,20時間連続して安定なターゲット周波数に量子ビット状態のチューニング性を示す。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/
• Abstract: We report the development of flux memory for use with superconducting circuits. This technology stores persistent currents in superconducting loops on-chip to be used to provide flux biasing for superconducting circuits, like qubits. We developed three types of flux memory and draw comparisons among them for circuit design. We demonstrate the utility of flux memory by using an in-situ flux detector and characterize each approach and further demonstrate that once flux is set in a memory cell, benchtop DC control sources can be powered off, leaving the on-chip flux bias in place. We propose that flux memory can be arranged in a two-dimensional configuration to multiplex control signals and reduce how line counts scale (N^2 devices -> 2N control lines), and our experimental results pave the path to the proposed scalability. We demonstrate the use of flux memory to flux bias a transmon qubit and show the tunability of the qubit state to a target frequency which remained stable on-chip for 20 hours.
• Abstract（参考訳）: 超伝導回路を用いたフラックスメモリの開発について報告する。 この技術は、量子ビットのような超伝導回路にフラックスバイアスを与えるために、チップ上の超伝導ループに永続的な電流を蓄積する。 回路設計のための3種類のフラックスメモリを開発し,その比較を行った。 そこで我々は, フラックス検出器を用いてフラックスメモリの有用性を実証し, それぞれのアプローチを特徴付けるとともに, 一度フラックスをメモリセルに設定すれば, ベンチトップDC制御源をオフにでき, オンチップフラックスバイアスが残ることを実証する。 本研究では, フラックスメモリを2次元に配置して制御信号を多重化し, ラインカウントの規模(N^2 デバイス -> 2N コントロールライン)を低減することを提案し, 提案した拡張性への道筋を実験的に検討した。 本研究では,フラックスメモリを用いてトランスモン量子ビットのフラックスバイアスを行い,20時間連続して安定なターゲット周波数に量子ビット状態のチューニング性を示す。

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