論文の概要: A physics-informed uncertainty-aware surrogate for $p$-$n$ junction diodes

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2610.39993v1
• Date: Thu, 29 Oct 2026 13:13:16 GMT
• ステータス: 翻訳完了
• システム内更新日: 2026-10-31 05:25:12.507894
• Title: A physics-informed uncertainty-aware surrogate for $p$-$n$ junction diodes
• Title（参考訳）: p$-$n$接合ダイオードのための物理インフォームド不確実性対応サロゲート
• Abstract要約: 我々は1次元$p$-$n$接合ダイオードに対する不確実性を考慮した物理インフォームドサロゲートを開発する。 本研究では, 終端電流, 劣化幅, ピークフィールド, 蓄積電荷など, 興味のある量のテストスーツを開発する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: We develop an uncertainty-aware physics-informed surrogate for a one-dimensional $p$-$n$ junction diode, conditioned on device length, doping and bias. Using the internal state of the device as predicted by the surrogate we develop a test-suite of quantities of interest including the terminal current, depletion width, peak field and stored charge. The formalism and the quantities are can be extended to asymmetric junction and two-dimensional diodes as shown by means of benchmark analysis. For the one-dimensional symmetric junction surrogate, we obtain 0.11% median $L_1$ error on the electrostatic potential, and 1.5% and 0.61% on the electron and hole densities. Finally, we develop an uncertainty analysis which determines the validity of surrogate answer within the user-specified tolerance.
• Abstract（参考訳）: デバイス長,ドーピング,バイアスを条件とした1次元$p$-$n$接合ダイオードのための不確実性を考慮した物理インフォームドサロゲートを開発した。 このサロゲートによって予測されるデバイスの内部状態を用いて、端末電流、劣化幅、ピークフィールド、蓄電量を含む、大量の興味を持つテストスーツを開発する。 形式と量は、ベンチマーク分析によって示すように、非対称接合と2次元ダイオードにまで拡張することができる。 一次元対称接合サロゲートでは、静電ポテンシャルの0.11%の中央値L_1$エラー、電子密度と孔密度の1.5%と0.61%が得られる。 最後に,ユーザ固有の許容範囲内での代理応答の有効性を判定する不確実性解析を開発する。

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