論文の概要: Analytical view on tunnable electrostatic quantum swap gate in tight-binding model

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2001.02513v2
• Date: Tue, 28 Jan 2020 08:14:21 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-01-13 21:29:29.607210
• Title: Analytical view on tunnable electrostatic quantum swap gate in tight-binding model
• Title（参考訳）: タイト結合モデルにおけるタンナブル静電量子スワップゲートの解析的展望
• Authors: Krzysztof Pomorski
• Abstract要約: 半導体中の単一電子を用いた2つの二重結合量子ドットの連鎖に実装された一般化静電量子スワップゲートを示す。 クーロン静電気反発による反相関原理は単一電子デバイスで利用される。 量子絡み合いの形成は、分析結果によって特定され、支持される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Generalized electrostatic quantum swap gate implemented in the chain of 2 double coupled quantum dots using single electron in semiconductor is presented in tight-binding simplistic model specifying both analytic and numerical results. The anticorrelation principle coming from Coulomb electrostatic repulsion is exploited in single electron devices. The formation of quantum entanglement is specified and supported by analytical results. The difference between classical and quantum picture is given. The correlations between geometry of quantum structures and entanglement dynamics are shown in analytical way. Effective wavefunction of single electrons is extracted from 2 electron electrostatic interactions. The presented results have its significance in cryogenic CMOS quantum technologies that gives perspective of implementation of semiconductor quantum computer on massive scale. Keyword: electrostatic quantum swap gate, entanglement, anticorrelation, tight-binding model, two-body wavefunction, correlation-anticorrelation crossover, density matrix of 2 electron system, single electron devices, coupled quantum dots
• Abstract（参考訳）: 半導体中の単一電子を用いた2重結合量子ドットの連鎖に実装された一般化静電量子スワップゲートは、解析結果と数値結果の両方を規定する強結合単純化モデルで示される。 クーロン静電気反発による反相関原理は単一電子デバイスで利用される。 量子絡み合いの形成は解析結果によって特定され支持される。 古典図と量子図の違いが与えられる。 量子構造の幾何学と絡み合い力学の相関関係を解析的に示す。 単一電子の有効波動関数は2つの電子静電相互作用から抽出される。 提案した結果は,半導体量子コンピュータを大規模に実装するための低温CMOS量子技術において重要である。 キーワード:静電量子スワップゲート、絡み合い、反相関、密結合モデル、二体波動関数、相関反相関クロスオーバー、2電子系密度行列、単一電子デバイス、結合量子ドット

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