Fugu-MT 論文翻訳(概要): Single-charge occupation in ambipolar quantum dots

論文の概要: Single-charge occupation in ambipolar quantum dots

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2001.05045v1
Date: Tue, 14 Jan 2020 20:53:12 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-01-11 13:46:52.516304
Title: Single-charge occupation in ambipolar quantum dots
Title（参考訳）: 偏極量子ドットにおける単一電荷占有
Authors: A. J. Sousa de Almeida, A. Marquez Seco, T. van den Berg, B. van de Ven, F. Bruijnes, S. V. Amitonov and F. A. Zwanenburg
Abstract要約: 電荷センサによるシリコン中のアンビポーラ量子ドットの単一電荷占有を実証する。シリコン金属-酸化物-半導体ヘテロ構造体において, 両極性量子ドット(QD)素子を作製した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We demonstrate single-charge occupation of ambipolar quantum dots in silicon via charge sensing. We have fabricated ambipolar quantum dot (QD) devices in a silicon metal-oxide-semiconductor heterostructure comprising a single-electron transistor next to a single-hole transistor. Both QDs can be tuned to simultaneously sense charge transitions of the other. We further detect the few-electron and few-hole regimes in the QDs of our ambipolar device by active charge sensing.
Abstract（参考訳）: 電荷センサによるシリコン中のアンビポーラ量子ドットの単一電荷占有を示す。我々は、単孔トランジスタの隣の単一電子トランジスタからなるシリコン金属酸化物半導体ヘテロ構造において、両極性量子ドット(qd)デバイスを構築した。両方のqdsを調整して、他方の電荷遷移を同時に感知することができる。さらに, 能動電荷センシングにより, 両極性デバイスのqds中の極小電子及び極小ホールレジームを検出できる。

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