論文の概要: Identification of different silicon vacancy centers in 6H-SiC

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2212.10256v1
• Date: Tue, 20 Dec 2022 14:05:31 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-01-09 13:01:36.392296
• Title: Identification of different silicon vacancy centers in 6H-SiC
• Title（参考訳）: 6H-SiCの異なるシリコン空孔中心の同定
• Authors: Harpreet Singh, Andrei N. Anisimov, Pavel G. Baranov and Dieter Suter
• Abstract要約: ケイ素炭化ケイ素(SiC)のケイ素空孔は、量子センシングや量子リピータといった量子技術応用の興味深い候補として提案されている。 本研究は6H-SiC多型における3つの重要な荷電シリコン空孔を特徴付けるものである。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.734084539365505
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: Silicon vacancies in silicon carbide (SiC) have been proposed as interesting candidates for quantum technology applications such as quantum sensing and quantum repeaters. SiC exists in many polytypes with different plane stacking sequences, and in each polytype, the vacancies can occupy a variety of different lattice sites. In this work, we characterize and identify the three most important charged silicon vacancies in the 6H-SiC polytype. We record the photoluminescence and continuous-wave optically detected magnetic resonance spectra at different radio-frequency power levels and different temperatures. We individually select the zero-phonon lines of the different silicon vacancies at low temperatures and record the corresponding optically detected magnetic resonance (ODMR) spectra. ODMR allows us to correlate optical and magnetic resonance spectra and thereby resolve a controversy from earlier work.
• Abstract（参考訳）: ケイ素炭化ケイ素(SiC)のケイ素空孔は、量子センシングや量子リピータといった量子技術応用の興味深い候補として提案されている。 SiCは平面積層配列が異なる多くのポリタイプに存在し、各ポリタイプでは、空孔は様々な格子部位を占めることができる。 本研究では6H-SiC多型における3つの重要な荷電シリコン空孔の特性と同定を行う。 光発光と連続波による磁気共鳴スペクトルを異なる周波数のパワーレベルと異なる温度で記録した。 異なるシリコン空孔のゼロフォノン線を低温で個別に選択し、対応する光検出磁気共鳴(ODMR)スペクトルを記録する。 ODMRは光と磁気共鳴のスペクトルを相関させ、初期の研究から論争を解決する。

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