論文の概要: Towards a realistic GaAs-spin qubit device for a classical error-corrected quantum memory

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2002.05136v1
• Date: Wed, 12 Feb 2020 18:29:20 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-06-03 21:24:53.728301
• Title: Towards a realistic GaAs-spin qubit device for a classical error-corrected quantum memory
• Title（参考訳）: 古典的誤り訂正量子メモリのためのgaas-spin qubitデバイスの実現に向けて
• Authors: Manuel Rispler, Pascal Cerfontaine, Veit Langrock, Barbara M. Terhal
• Abstract要約: 本研究では,一重項量子ビットを包含するガリウム(GaAs)量子ドットの線形配列上での位相フリップ(繰り返し)符号の性能について検討する。 測定時間におけるキュービット読み出し誤差と復調時間(T2)のトレードオフを考慮すると、実験範囲内に位置する位相フリップ符号のサブ閾値領域を同定する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.452875650827562
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Based on numerically-optimized real-device gates and parameters we study the performance of the phase-flip (repetition) code on a linear array of Gallium Arsenide (GaAs) quantum dots hosting singlet-triplet qubits. We first examine the expected performance of the code using simple error models of circuit-level and phenomenological noise, reporting, for example, a circuit-level depolarizing noise threshold of approximately 3%. We then perform density-matrix simulations using a maximum-likelihood and minimum-weight matching decoder to study the effect of real-device dephasing, read-out error, quasi-static as well as fast gate noise. Considering the trade-off between qubit read-out error and dephasing time (T2) over measurement time, we identify a sub-threshold region for the phase-flip code which lies within experimental reach.
• Abstract（参考訳）: 数値最適化実デバイスゲートとパラメータに基づき,一重項量子ビットをホストするガリウム(gaas)量子ドットの線形配列上での位相フリップ(反復)符号の性能について検討した。 まず,回路レベルのノイズと現象論的ノイズの単純な誤差モデルを用いて,回路レベルの非分極雑音閾値を約3%と報告することにより,予測性能を検証した。 次に,最大値と最小値のマッチングデコーダを用いて密度行列シミュレーションを行い,実デバイスのデフォーカス,読み出し誤差,準静的,高速ゲートノイズの影響について検討する。 測定時間における量子ビット読み出し誤差と強調時間(t2)とのトレードオフを考慮して,実験範囲内に位置する位相フリップ符号のサブスレッショルド領域を同定する。

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