論文の概要: A random-walk benchmark for single-electron circuits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2003.01673v2
- Date: Tue, 9 Feb 2021 13:11:08 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-31 07:30:05.203823
- Title: A random-walk benchmark for single-electron circuits
- Title（参考訳）: 単電子回路のランダムウォークベンチマーク
- Authors: David Reifert, Martins Kokainis, Andris Ambainis, Vyacheslavs
Kashcheyevs, Niels Ubbelohde
- Abstract要約: 我々は、オンデマンド電子移動のためのユニバーサルランダムウォークモデルの観点から、レアエラー蓄積の回路レベルの統計的記述を提供する。
GaAs/AlGaAsヘテロ構造における量子ドットの連鎖として実験で実現された高忠実単一電子回路では、電荷計数により転送動作の誤差が調査される。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.9449650062296823
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Mesoscopic integrated circuits achieving high-fidelity control of elementary
quantum systems require new methodology for benchmarking. We offer
circuit-level statistical description of rare-error accumulation in terms of a
universal random-walk model for on-demand electron transfer. For a
high-fidelity single-electron circuit, realized in the experiment as a chain of
quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure, the error of the transfer
operation is probed by charge counting. Error rates for extra ($P_+$) or
missing ($P_-$) electrons of the electron shuttle are measured to $P_{-}=(6.92
\pm 0.14) \times 10^{-5}$ and $P_{+}=(2.13 \pm 0.08)\times 10^{-5}$ with
uncertainty due to correlated noise in the environment. Furthermore, precise
control over the timing of the random walk allows to explore the role of memory
as the clock frequency is increased.
- Abstract（参考訳）: 初等量子システムの高忠実性制御を実現するメソスコピック集積回路は、ベンチマークのための新しい手法を必要とする。
我々は,オンデマンド電子移動のための普遍的ランダムウォークモデルを用いて,レアエラー蓄積の回路レベル統計記述を提供する。
GaAs/AlGaAsヘテロ構造における量子ドットの連鎖として実験で実現された高忠実単一電子回路では、電荷計数により転送動作の誤差が調査される。
電子シャトルの余分な(p_+$)または欠落した(p_-$)電子の誤差率は、環境騒音の相関による不確実性とともに、$p_{-}=(6.92 \pm 0.14) \times 10^{-5}$と$p_{+}=(2.13 \pm 0.08)\times 10^{-5}$と測定される。
さらに、ランダムウォークのタイミングを正確に制御することで、クロック周波数が増加するとメモリの役割を探索することができる。
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