論文の概要: g-tensor resonance in double quantum dots with site-dependent g-tensors

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2003.03102v1
• Date: Fri, 6 Mar 2020 09:38:00 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-05-30 08:56:23.531793
• Title: g-tensor resonance in double quantum dots with site-dependent g-tensors
• Title（参考訳）: サイト依存gテンソルを持つ二重量子ドットにおけるgテンソル共鳴
• Authors: Philipp Mutter, Guido Burkard
• Abstract要約: パウリスピン遮断(英: Pauli spin blockade、PSB)は、長い間、ダブル量子ドット(DQD)システムにおけるスピン・リードアウトのための重要なツールであり、インタードット・トンネルは$t$である。 二つの点が、サイト依存のgテンソル$g_L$と$g_R$によって引き起こされる、異なる有効磁場を経験すれば、ブロックは解除される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Pauli spin blockade (PSB) has long been an important tool for spin read-out in double quantum dot (DQD) systems with interdot tunneling $t$. In this paper we show that the blockade is lifted if the two dots experience distinct effective magnetic fields caused by site-dependent g-tensors $g_L$ and $g_R$ for the left and right dot, and that this effect can be more pronounced than the leakage current due to the spin-orbit interaction (SOI) via spin-flip tunneling and the hyperfine interaction (HFI) of the electron spin with the host nuclear spins. Using analytical results obtained in special parameter regimes, we show that information about both the out-of-plane and in-plane g-factors of the dots can be inferred from characteristic features of the magneto-transport curve. For a symmetric DQD, we predict a pronounced maximum in the leakage current at the characteristic out-of-plane magnetic field $B^* = t/ \mu_B \sqrt{g_z^L g_z^R}$ which we term the g-tensor resonance of the system. Moreover, we extend the results to contain the effects of strong SOI and argue that in this more general case the leakage current carries information about the g-tensor components and SOI of the system.
• Abstract（参考訳）: pauli spin block (psb) は二重量子ドット (dqd) システムにおいてスピン読み出しのための重要なツールであり、インタードットトンネル (interdot tunnel) は$t$である。 本稿では、2つのドットがサイト依存のg-テンソルである $g_l$ と $g_r$ によって異なる磁場を左右のドットに対して経験し、スピン・フリップトンネルによるスピン軌道相互作用 (soi) と、ホスト核スピンとの電子スピンの超微細相互作用 (hfi) による漏洩電流よりもこの効果が顕著であることを示す。 特殊パラメータ法で得られた解析結果を用いて,磁気輸送曲線の特性から点の面外因子と面内g因子の両方に関する情報を推定できることを示した。 対称DQDの場合、特性外界磁場$B^* = t/ \mu_B \sqrt{g_z^L g_z^R}$におけるリーク電流の顕著な最大値を予測する。 さらに、強いSOIの効果を含むように結果を拡張し、このより一般的な場合、リーク電流はシステムのgテンソル成分とSOIに関する情報を伝達すると主張している。

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