Fugu-MT 論文翻訳(概要): Energy levels in a single-electron quantum dot with hydrostatic pressure

論文の概要: Energy levels in a single-electron quantum dot with hydrostatic pressure

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.02533v1
Date: Wed, 3 Jun 2020 21:08:59 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-05-17 06:21:42.973046
Title: Energy levels in a single-electron quantum dot with hydrostatic pressure
Title（参考訳）: 静水圧単電子量子ドットにおけるエネルギー準位
Authors: H.E. Caicedo-Ortiz, H.O. Casta\~neda F\'ernandez, E. Santiago-Cort\'es and D.A. Mantilla-Sandoval
Abstract要約: 電子を持つ量子ドットのエネルギーレベルに及ぼす静水圧の影響について検討する。静水圧で制御される量子NOTゲートの実装手法を提案する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 1.5797349391370117
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: In this article we present a study of the effects of hydrostatic pressure on the energy levels of a quantum dot with an electron. A quantum dot is modeled using an infinite potential well and a two-dimensional harmonic oscillator and solved through the formalism of second quantization. A scheme for the implementation of a quantum NOT gate controlled with hydrostatic pressure is proposed.
Abstract（参考訳）: 本稿では,静水圧が電子を持つ量子ドットのエネルギーレベルに及ぼす影響について述べる。量子ドットは無限ポテンシャル井戸と2次元調和振動子を用いてモデル化され、第二量子化の形式によって解かれる。静水圧で制御される量子NOTゲートの実装手法を提案する。

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