論文の概要: Energy levels in a single-electron quantum dot with hydrostatic pressure
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.02533v1
- Date: Wed, 3 Jun 2020 21:08:59 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-17 06:21:42.973046
- Title: Energy levels in a single-electron quantum dot with hydrostatic pressure
- Title(参考訳): 静水圧単電子量子ドットにおけるエネルギー準位
- Authors: H.E. Caicedo-Ortiz, H.O. Casta\~neda F\'ernandez, E. Santiago-Cort\'es
and D.A. Mantilla-Sandoval
- Abstract要約: 電子を持つ量子ドットのエネルギーレベルに及ぼす静水圧の影響について検討する。
静水圧で制御される量子NOTゲートの実装手法を提案する。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 1.5797349391370117
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: In this article we present a study of the effects of hydrostatic pressure on
the energy levels of a quantum dot with an electron. A quantum dot is modeled
using an infinite potential well and a two-dimensional harmonic oscillator and
solved through the formalism of second quantization. A scheme for the
implementation of a quantum NOT gate controlled with hydrostatic pressure is
proposed.
- Abstract(参考訳): 本稿では,静水圧が電子を持つ量子ドットのエネルギーレベルに及ぼす影響について述べる。
量子ドットは無限ポテンシャル井戸と2次元調和振動子を用いてモデル化され、第二量子化の形式によって解かれる。
静水圧で制御される量子NOTゲートの実装手法を提案する。
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