Fugu-MT 論文翻訳(概要): Confinement in Gapped Graphene with Magnetic Flux

論文の概要: Confinement in Gapped Graphene with Magnetic Flux

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2006.07629v1
Date: Sat, 13 Jun 2020 12:17:30 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-05-15 20:23:28.589521
Title: Confinement in Gapped Graphene with Magnetic Flux
Title（参考訳）: 磁性フラックスによるグラフェンの閉じ込め
Authors: Bouchaib Lemaalem, Abdelhadi Belouad, Miloud Mekkaoui, Ahmed Jellal
Abstract要約: 磁気束$phi$のグラフェンの円錐量子ドットにおける電子の伝播について検討した。我々は、入射電子エネルギー、ポテンシャル障壁、量子ドットの半径、ギャップ、および$phi$といった物理パラメータの関数として異なる散乱状態を同定する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We study the propagation of electrons in a circular quantum dot of gapped graphene subject to the magnetic flux $\phi$. We present analytical expressions for the eigenstates, scattering coefficients, scattering efficiency and radial component of the reflected current. We identify different scattering regimes as a function of the physical parameters such as the incident electronic energy, potential barrier, radius of quantum dot, gap and $\phi$. We choose two values of the flux $\phi=1/2, 3/2$ and show that for low energy of the incident electron, the scattering resonances appear and the far-field scattered current presents distinct preferred scattering directions.
Abstract（参考訳）: 磁気束$\phi$ を受けるガッピンググラフェンの円形量子ドットにおける電子の伝播について検討した。本稿では, 固有状態, 散乱係数, 散乱効率および反射電流の放射成分の解析式を提案する。我々は、入射電子エネルギー、ポテンシャル障壁、量子ドットの半径、ギャップ、および$\phi$といった物理パラメータの関数として異なる散乱状態を同定する。フラックス$\phi=1/2, 3/2$の2つの値を選択し、入射電子の低エネルギーでは散乱共鳴が現れ、遠方散乱電流がそれぞれ好ましい散乱方向を示すことを示す。

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