論文の概要: Always-On 674uW @ 4GOP/s Error Resilient Binary Neural Networks with
Aggressive SRAM Voltage Scaling on a 22nm IoT End-Node
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2007.08952v1
- Date: Fri, 17 Jul 2020 12:56:58 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2022-11-09 15:00:34.366773
- Title: Always-On 674uW @ 4GOP/s Error Resilient Binary Neural Networks with
Aggressive SRAM Voltage Scaling on a 22nm IoT End-Node
- Title(参考訳): 22nmIoTエンドノード上での攻撃的SRAM電圧スケーリングを有する674uW @ 4GOP/s誤差2元ニューラルネットワーク
- Authors: Alfio Di Mauro, Francesco Conti, Pasquale Davide Schiavone, Davide
Rossi, Luca Benini
- Abstract要約: バイナリニューラルネットワーク(BNN)は、ランダムなビットレベルのノイズに対して堅牢であることが示され、アグレッシブな電圧スケーリングが魅力的である。
ハードウェアアクセラレーションBNNを超低電圧で実行可能な,初の完全プログラム可能なIoTエンドノードシステムオンチップを提案する。
CIFAR-10データセットの4Gop/s(15.4Inference/s)を最大13ops/pJまで計算し,ピーク電力エンベロープ674uWで22.8Inference/s/mWを達成した。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 15.974669646920331
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Binary Neural Networks (BNNs) have been shown to be robust to random
bit-level noise, making aggressive voltage scaling attractive as a power-saving
technique for both logic and SRAMs. In this work, we introduce the first fully
programmable IoT end-node system-on-chip (SoC) capable of executing
software-defined, hardware-accelerated BNNs at ultra-low voltage. Our SoC
exploits a hybrid memory scheme where error-vulnerable SRAMs are complemented
by reliable standard-cell memories to safely store critical data under
aggressive voltage scaling. On a prototype in 22nm FDX technology, we
demonstrate that both the logic and SRAM voltage can be dropped to 0.5Vwithout
any accuracy penalty on a BNN trained for the CIFAR-10 dataset, improving
energy efficiency by 2.2X w.r.t. nominal conditions. Furthermore, we show that
the supply voltage can be dropped to 0.42V (50% of nominal) while keeping more
than99% of the nominal accuracy (with a bit error rate ~1/1000). In this
operating point, our prototype performs 4Gop/s (15.4Inference/s on the CIFAR-10
dataset) by computing up to 13binary ops per pJ, achieving 22.8 Inference/s/mW
while keeping within a peak power envelope of 674uW - low enough to enable
always-on operation in ultra-low power smart cameras, long-lifetime
environmental sensors, and insect-sized pico-drones.
- Abstract(参考訳): バイナリニューラルネットワーク(BNN)は、ランダムなビットレベルノイズに対して堅牢であることが示されており、論理とSRAMの両方の省電力技術として、積極的な電圧スケーリングが魅力的である。
本研究では,ソフトウェア定義のハードウェアアクセラレーションBNNを超低電圧で実行可能な,初の完全プログラム可能なIoTエンドノードシステム(SoC)を提案する。
socは,信頼性の高い標準セルメモリによってsramを補完するハイブリッドメモリスキームを活用し,攻撃的電圧スケーリング下でクリティカルデータを安全に保存する。
22nmFDX技術のプロトタイプでは、CIFAR-10データセットのために訓練されたBNNに対して、論理とSRAMの電圧を0.5Vまで下げることができ、エネルギー効率を2.2倍向上させることができる。
さらに, 供給電圧を0.42V (50%) まで下げることができ, 精度は99%以上(ビット誤り率~1/1000)であることを示す。
本実験では,超低消費電力スマートカメラ,長寿命環境センサ,昆虫サイズのピコドロンの常時オン動作を実現するために,最大出力封筒674uw内に保持しながら,最大13ビナリーops/mwを演算し,22.8推論/s/mwを達成することで,4gop/s(cifar-10データセット上で15.4inference/s)を行う。
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