論文の概要: Density of States Analysis of Electrostatic Confinement in Gapped
Graphene
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2007.10655v1
- Date: Tue, 21 Jul 2020 08:23:37 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-08 21:06:51.439009
- Title: Density of States Analysis of Electrostatic Confinement in Gapped
Graphene
- Title(参考訳): ガッピンググラフェンにおける静電閉じ込め状態の密度解析
- Authors: Ahmed Bouhlal, Abdelhadi Belouad, Ahmed Jellal, Hocine Bahlouli
- Abstract要約: 磁気フラックスの存在下でのギャップ状グラフェン量子ドットにおける電荷キャリアの静電閉じ込めについて検討した。
エネルギーギャップはこれらの共鳴の振幅と幅を制御でき、状態プロファイルの密度におけるそれらの位置に影響を与える。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We investigate the electrostatic confinement of charge carriers in a gapped
graphene quantum dot in the presence of a magnetic flux. The circular quantum
dot is defined by an electrostatic gate potential delimited in an infinite
graphene sheet which is then connected to a two terminal setup. Considering
different regions composing our system, we explicitly determine the solutions
of the energy spectrum in terms of Hankel functions. Using the scattering
matrix together with the asymptotic behavior of the Hankel functions for large
arguments, we calculate the density of states and show that it has an
oscillatory behavior with the appearance of resonant peaks. It is found that
the energy gap can controls the amplitude and width of these resonances and
affect their location in the density of states profile.
- Abstract(参考訳): 磁気フラックスの存在下でのギャップ状グラフェン量子ドットにおける電荷キャリアの静電閉じ込めについて検討した。
円形の量子ドットは無限のグラフェンシートで区切られた静電ゲートポテンシャルによって定義され、2つの端子設定と接続される。
システムを構成する異なる領域を考えると、ハンケル関数の観点からエネルギースペクトルの解を明示的に決定する。
散乱行列とハンケル関数の漸近的挙動を併用して,状態密度を計算し,共振ピークの出現に伴う振動挙動を示す。
エネルギーギャップはこれらの共鳴の振幅と幅を制御でき、状態プロファイルの密度におけるそれらの位置に影響を与える。
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