論文の概要: Quantum thermal transistors: Operation characteristics in steady state
versus transient regimes
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2009.04506v2
- Date: Fri, 28 May 2021 16:02:53 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-03 02:43:39.015782
- Title: Quantum thermal transistors: Operation characteristics in steady state
versus transient regimes
- Title（参考訳）: 量子熱トランジスタ:定常状態と過渡状態の動作特性
- Authors: Riddhi Ghosh, Ahana Ghoshal and Ujjwal Sen
- Abstract要約: 我々は、過渡量子熱トランジスタの3つの幅広いクラスを見いだす。
必然的に過渡トランジスタが発生するような初期状態について論じる。
効率的に動作するための望ましい時間と期間を見積もる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We show that a quantum thermal transistor can also cause the transistor
effect - where one out of three terminals can control the flow of heat current
in the other two - with good amplification properties in the transient regime
for certain paradigmatic initial states. We find three broad classes of
transient quantum thermal transistors - the first having a smaller
amplification than the steady state quantum thermal transistor, the second with
better amplification but a smaller operating region in terms of temperature,
and the third that gives higher amplification with a larger operating region.
The last type is of particular interest as it also operates in the region where
the steady state thermal transistors lose the transistor effect. We discuss in
some detail certain initial states for which the cases of necessarily transient
transistors arise. We analyze the time variation of the amplification factor of
transient thermal transistors and estimate the preferable time and duration for
which they can work efficiently. Cumulative studies of the differences in
magnitudes of the amplifications of heat currents at the non-base terminals of
the quantum thermal transistor, first with respect to the base-terminal
temperature and next with time, are also presented.
- Abstract（参考訳）: 量子熱トランジスタがトランジスタ効果を引き起こすことも示し、3つのうち1つが他の2つで熱電流の流れを制御でき、あるパラダイムの初期状態に対する過渡的な状態において優れた増幅特性を持つことを示した。
1つは安定状態の量子熱トランジスタより小さい増幅、もう1つはより優れた増幅を持つが、温度に関してはより小さい演算領域、もう1つはより大きな演算領域で高い増幅を与える。
最後のタイプは、安定状態の熱トランジスタがトランジスタ効果を失う領域でも機能するため、特に興味深い。
我々は、必ずしも過渡トランジスタのケースが発生するいくつかの初期状態について詳細に論じる。
本研究では、過渡熱トランジスタの増幅係数の時間変化を分析し、効率的に動作するための好ましい時間と期間を推定する。
量子熱トランジスタの非基底端子における熱電流の増幅の大きさの差に関する累積的な研究も,まず基本末端温度と時間との差について述べる。
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