論文の概要: Unveiling Detuning Effects for Heat-Current Control in Quantum Thermal
Devices
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2402.16721v1
- Date: Mon, 26 Feb 2024 16:46:52 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-02-28 19:59:28.134333
- Title: Unveiling Detuning Effects for Heat-Current Control in Quantum Thermal
Devices
- Title（参考訳）: 量子熱デバイスにおける熱電流制御の解離変形効果
- Authors: Andr\'e H. A. Malavazi, Borhan Ahmadi, Pawe{\l} Mazurek and Antonio
Mandarino
- Abstract要約: 制御サブシステムにおける第3の励起レベルに特に重点を置いた,強結合型3サブシステム熱デバイスについて検討した。
我々の設定は、内部パラメータの特定の選択を条件とした多目的デバイスとして利用することができる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Navigating the intricacies of thermal management at the quantum scale is a
challenge in the pursuit of advanced nanoscale technologies. To this extent,
theoretical frameworks introducing minimal models mirroring the functionality
of electronic current amplifiers and transistors, for instance, have been
proposed. Different architectures of the subsystems composing a quantum thermal
device can be considered, tacitly bringing drawbacks or advantages if properly
engineered. This paper extends the prior research on thermotronics, studying a
strongly coupled three-subsystem thermal device with a specific emphasis on a
third excited level in the control subsystem. Our setup can be employed as a
multipurpose device conditioned on the specific choice of internal parameters:
heat switch, rectifier, stabilizer, and amplifier. The exploration of the
detuned levels unveils a key role in the performance and working regime of the
device. We observe a stable and strong amplification effect persisting over
broad ranges of temperature. We conclude that considering a three-level system,
as the one directly in contact with the control temperature, boosts output
currents and the ability to operate our devices as a switch at various
temperatures.
- Abstract（参考訳）: 量子スケールにおける熱管理の複雑さのナビゲートは、高度なナノスケール技術の追求における課題である。
この範囲では、例えば電子電流増幅器やトランジスタの機能を反映した最小モデルを導入する理論的枠組みが提案されている。
量子熱デバイスを構成するサブシステムの異なるアーキテクチャを考えることができ、適切に設計されると欠点や利点が引き起こされる。
本稿では, 制御サブシステムにおける第3の励起レベルに着目した強結合型3サブシステム熱デバイスについて, 従来の研究を拡張した。
本装置は,熱スイッチ,整流器,安定化器,増幅器などの内部パラメータの選択を条件とした多目的デバイスとして使用できる。
調整されたレベルの探索は、デバイスのパフォーマンスと動作の仕組みにおいて重要な役割を担っている。
広範囲の温度に持続する安定かつ強い増幅効果を観測した。
制御温度と直接接触する3レベルシステムを考えると、出力電流を増加させ、様々な温度でスイッチとしてデバイスを操作することができる。
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