論文の概要: Tuning of Bilayer Graphene Heterostructure by Horizontally Incident Circular Polarized Light

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2102.11587v2
• Date: Sat, 1 May 2021 15:00:02 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-10 03:44:12.368575
• Title: Tuning of Bilayer Graphene Heterostructure by Horizontally Incident Circular Polarized Light
• Title（参考訳）: 水平入射円偏光による二層グラフェンヘテロ構造のチューニング
• Authors: Ma Luo
• Abstract要約: 反強磁性ファンデルウォールスピンバルブのヘテロ構造における二層グラフェンのモデルに焦点を当てた。 照射の振幅は、バルク状態のバンドギャップと位相特性を調整することができる。 チャーン数1のスピン偏極量子異常ホール位相が予測される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We theoretically investigated the Floquet states of bilayer graphene heterostructure under the irradiation by horizontally incident circular polarized light. The in-plane and out-of-plane electric field of the light periodically perturbs the intra-layer and inter-layer hopping, respectively. For circular polarized light, the two components of the electric field has $\pi/2$ phase difference, so that the two types of hopping are periodically perturbed with the $\pi/2$ phase difference, which modify the effective inter-layer hopping. We focus on the model of bilayer graphene in the heterostructure of antiferromagnetic van der Walls spin valve. The amplitude of the irradiation can tune the band gap and topological properties of the bulk state. The spin-polarized quantum anomalous Hall phase with Chern number being one is predicted. The incident angle of the irradiation can tune the band gap and dispersion of the edge states in zigzag nanoribbons.
• Abstract（参考訳）: 水平入射円偏光照射による二層グラフェンヘテロ構造のフラケット状態について理論的に検討した。 光の面内電界と面外電界は、それぞれ層内ホッピングと層間ホッピングを周期的に摂動する。 円偏光の場合、電場の2つの成分は、$\pi/2$相差を持つので、2種類のホッピングは、有効層間ホッピングを変化させる$\pi/2$相差で周期的に摂動される。 反強磁性ファンデルスピンバルブのヘテロ構造における二層グラフェンのモデルに注目した。 照射の振幅は、バルク状態のバンドギャップと位相特性を調整することができる。 チャーン数が1であるスピン偏極量子異常ホール位相を予測する。 照射の入射角は、ジグザグナノリボンのバンドギャップとエッジ状態の分散を調整することができる。

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