論文の概要: Effect of Strain on Band Engineering in Gapped Graphene

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2007.04579v2
• Date: Thu, 1 Apr 2021 15:25:24 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-05-10 21:34:55.520559
• Title: Effect of Strain on Band Engineering in Gapped Graphene
• Title（参考訳）: 浸漬グラフェンのバンドエンジニアリングに及ぼすひずみの影響
• Authors: Hasna Chnafa, Miloud Mekkaoui, Ahmed Jellal, Abdelhadi Bahaoui
• Abstract要約: 本研究では, グラフェンのバンド工学に及ぼすひずみの影響について検討した。 フロケ理論を適用することで、線形、円周および楕円偏極ドレッシング場により電子の有効ハミルトニアンを決定する。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We study the effect of strain on the band engineering in gapped graphene subject to external sources. By applying the Floquet theory, we determine the effective Hamiltonian of electron dressed by a linearly, circularly and an elliptically polarized dressing field in the presence of strain along armchair and zigzag directions. Our results show that the energy spectrum exhibits different symmetries and for the strainless case it takes an isotropic and anisotropic forms whatever the values of irradiation intensity, whereas it is linear as in the case of pristine graphene. It increases slowly when strain is applied along the armchair direction but rapidly for the zigzag case. Moreover, it is found that the renormalized band gap changes along different strain magnitudes and does not change for the polarization phase $\theta$ compared to linear and circular polarizations where its values change oppositely.
• Abstract（参考訳）: 本研究では, グラフェンのバンド工学に及ぼすひずみの影響について検討した。 フロッケ理論を適用することで、アームチェアおよびジグザグ方向のひずみの存在下で、線形、円、楕円偏極のドレッシング場により、電子の有効ハミルトニアンを決定する。 その結果, エネルギースペクトルは異なる対称性を示し, 無ひずみの場合, 照射強度の値がどんな等方的かつ異方的でも, プリスチングラフェンのように線形であることがわかった。 アームチェア方向に沿ってひずみを印加するとゆっくりと増加するが、ジグザグの場合は急速に増加する。 さらに, 再正規化バンドギャップはひずみ等級によって変化し, 偏光位相$\theta$ に対して, 値が反対に変化する線形偏光や円偏光と比較して変化しないことがわかった。

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