論文の概要: Investigating microwave loss of SiGe using superconducting transmon
qubits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2103.03747v1
- Date: Fri, 5 Mar 2021 15:22:33 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-04-09 00:10:16.460547
- Title: Investigating microwave loss of SiGe using superconducting transmon
qubits
- Title（参考訳）: 超伝導トランスモン量子ビットを用いたSiGeのマイクロ波損失の研究
- Authors: Martin Sandberg, Vivekananda P. Adiga, Markus Brink, Cihan Kurter,
Conal Murray, Marinus Hopstaken, John Bruley, Jason Orcutt and Hanhee Paik
- Abstract要約: 我々はSiGe層上にトランスモン量子ビットを作製した。
我々は,大パッドトランスモンの4M以上の品質因子Qに対応する最大100mu$sの緩和時間を求める。
高Q値は、SiGe/Siヘテロ構造が超伝導量子回路の技術性能と相容れないことを示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 4.7818649850094905
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Silicon-Germanium (SiGe) is a material that possesses a multitude of
applications ranging from transistors to eletro-optical modulators and quantum
dots. The diverse properties of SiGe also make it attractive to implementations
involving superconducting quantum computing. Here we demonstrate the
fabrication of transmon quantum bits on SiGe layers and investigate the
microwave loss properties of SiGe at cryogenic temperatures and single photon
microwave powers. We find relaxation times of up to 100 $\mu$s, corresponding
to a quality factor Q above 4 M for large pad transmons. The high Q values
obtained indicate that the SiGe/Si heterostructure is compatible with state of
the art performance of superconducting quantum circuits.
- Abstract（参考訳）: シリコンゲルマニウム(シリコンゲルマニウム、SiGe)は、トランジスタから電子光学変調器、量子ドットまで幅広い用途を持つ材料である。
SiGeの多様な性質は超伝導量子コンピューティングを含む実装にも魅力的である。
ここでは,SiGe層上にトランスモン量子ビットを作製し,低温におけるSiGeのマイクロ波損失特性と単一光子マイクロ波パワーについて検討する。
また,大パッドトランスモンの4M以上の品質因子Qに対応して,最大100ドルまでの緩和時間を求める。
得られた高いQ値は、SiGe/Siヘテロ構造が超伝導量子回路の技術性能と相容れないことを示している。
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