論文の概要: Ge thin-films with tantalum diffusion-barriers for use in Nb-based superconductor technology

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.12580v1
• Date: Mon, 26 Apr 2021 13:52:06 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-02 09:01:02.366748
• Title: Ge thin-films with tantalum diffusion-barriers for use in Nb-based superconductor technology
• Title（参考訳）: Nb系超伝導技術に用いるタンタル拡散バリアGe薄膜
• Authors: C. Kopas, S. Zhang, J. Gonzales, D.R. Queen, B. Wagner, R.W. Carpenter, N. Newman
• Abstract要約: 超伝導マイクロ波共振器は結晶Ge基板上にTaバリア層で作製した室温で作製した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Germanium thin films are an excellent candidate for use as a low-loss dielectric in superconducting microwave resonators, a low-loss inter-layer metal wiring dielectric, and passivation layers in microwave and Josephson junction devices. In Ge/Nb structures deposited at 400 {\deg}C, we observe intermixing over as much as 20 nm. The addition of a 10 nm Ta diffusion barrier layer reduces the superconductor/dielectric intermixing to less than 5 nm and enhances the structural properties of deposited a-Ge layers based on Raman spectroscopy. Additionally, superconducting microwave resonators fabricated at room-temperature on crystalline Ge substrates with a Ta barrier layer show marked improvement in total and power-dependent two-level system microwave losses.
• Abstract（参考訳）: ゲルマニウム薄膜は超伝導マイクロ波共振器における低損失誘電体、低損失層間金属配線誘電体、マイクロ波およびジョセフソン接合装置におけるパッシベーション層として優れた候補である。 400 {\deg}Cで堆積したGe/Nb構造では、20nm以上の中間混合が観察される。 10nmTa拡散バリア層の追加は超伝導体/誘電体混合を5nm未満に減少させ、ラマン分光法に基づいて堆積したa-Ge層の構造特性を高める。 さらに、taバリア層を有する結晶性ge基板上で室温で作製した超伝導マイクロ波共振器は、全および電力依存の2レベルマイクロ波損失を著しく改善した。

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