Fugu-MT 論文翻訳(概要): Micrometer thick single crystal iron-garnet films on a diamagnetic buffer layer for cryogenic applications

論文の概要: Micrometer thick single crystal iron-garnet films on a diamagnetic buffer layer for cryogenic applications

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2511.19104v1
Date: Mon, 24 Nov 2025 13:40:23 GMT
ステータス: 翻訳完了
システム内更新日: 2025-11-25 18:34:25.217625
Title: Micrometer thick single crystal iron-garnet films on a diamagnetic buffer layer for cryogenic applications
Title（参考訳）: 誘電体バッファー層上に作製した微細厚単結晶鉄-ガーネット薄膜の低温への応用
Authors: A. N. Kuzmichev, P. M. Vetoshko, E. I. Pavluk, A. A. Holin, G. A. Knyazev, A. S. Kaminskiy, S. S. Demirchan, R. Tyumenev, D. S. Kalashnikov, V. S. Stolyarov, V. I. Belotelov,
Abstract要約: この研究は低減衰磁性材料のフロンティアを前進させ、量子コンピューティングや低温エレクトロニクスにおける超低損失部品の需要に直接対処する。本研究では, 単結晶マイクロメーター厚イットリウム鉄ガーネット (YIG) 膜を低減衰で得るための新しいアプローチとして, パラ磁性基板のバッファー層による界面常磁性特性の分離と緩和を行った。ガドリニウムガリウム基板上の液相エピタキシーにより成長したジア磁性イットリウムガリウムガリウム緩衝層を有するYIG膜は、薄い平面YIG構造に対して前例のない均一性を示し、強磁性をもたらす。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
Abstract: This work advances the frontier of low-damping magnetic materials, directly addressing the demand for ultra-low-loss components in quantum computing and cryogenic electronics. Here we demonstrate a new approach to get single crystal micrometer-thick yttrium iron garnet (YIG) films with low damping through isolating and mitigating interfacial paramagnetic contributions of a paramagnetic substrate by a buffer-layer. The YIG films with the diamagnetic yttrium scandium gallium garnet buffer layer grown by liquid phase epitaxy on a gadolinium gallium substrate demonstrate homogeneity unprecedented for the thin planar YIG structures, yielding ferromagnetic resonance linewidths of 4.9 MHz at 4 K and 5.9 MHz at 16 mK, the lowest values reported to date. These results underscore the critical role of interfacial engineering in overcoming intrinsic material limitations, opening avenues for further optimization in spin-based technologies.
Abstract（参考訳）: この研究は低減衰磁性材料のフロンティアを前進させ、量子コンピューティングや低温エレクトロニクスにおける超低損失部品の需要に直接対処する。本稿では, 単結晶マイクロメートル厚イットリウム鉄ガーネット (YIG) 膜を低減衰で得るための新しいアプローチについて述べる。ガドリニウムガリウム基板上に液相エピタキシーにより成長したジア磁性イットリウムガリウムガリウム緩衝層を有するYIG膜は、薄板状YIG構造に対して前例のない均一性を示し、4Kで4.9MHz、16mKで5.9MHzの強磁性共鳴線幅が得られる。これらの結果は、スピンベース技術のさらなる最適化への道を開く、本質的な材料制限を克服する上で、界面工学が重要な役割を担っていることを裏付けている。

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