論文の概要: Depinning of the Charge-Density Waves in Quasi-2D 1T-TaS2 Devices Operating at Room Temperature

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2104.14051v1
• Date: Thu, 29 Apr 2021 00:17:19 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-04-02 02:23:50.308301
• Title: Depinning of the Charge-Density Waves in Quasi-2D 1T-TaS2 Devices Operating at Room Temperature
• Title（参考訳）: 室温で動作する準2D 1T-TaS2デバイスにおける電荷密度波のスピン化
• Authors: A. Mohammadzadeh, A. Rehman, F. Kargar, S. Rumyantsev, J. M. Smulko, W. Knap, R. K. Lake and A.A. Balandin
• Abstract要約: 室温1T-TaS2薄膜におけるほぼ均質な電荷密度波のスピン化について報告する。 1T-TaS2のデピン化過程は、電流の急激な増加を伴わない。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We report on depinning of nearly-commensurate charge-density waves in 1T-TaS2 thin-films at room temperature. A combination of the differential current-voltage measurements with the low-frequency noise spectroscopy provide unambiguous means for detecting the depinning threshold field in quasi-2D materials. The depinning process in 1T-TaS2 is not accompanied by an observable abrupt increase in electric current - in striking contrast to depinning in the conventional charge-density-wave materials with quasi-1D crystal structure. We explained it by the fact that the current density from the charge-density waves in the 1T-TaS2 devices is orders of magnitude smaller than the current density of the free carriers available in the discommensuration network surrounding the commensurate charge-density-wave islands. The depinning fields in 1T-TaS2 thin-film devices are several orders of magnitude larger than those in quasi-1D van der Waals materials. Obtained results are important for the proposed applications of the charge-density-wave devices in electronics.
• Abstract（参考訳）: 室温1T-TaS2薄膜におけるほぼ均質な電荷密度波の偏向について報告する。 差動電流-電圧測定と低周波ノイズスペクトロスコピーの組み合わせは、準2次元材料のデピンニング閾値場を検出するための曖昧な手段を提供する。 1T-TaS2のデピン化過程は、準1D結晶構造を持つ従来の電荷密度波材料におけるデピン化とは対照的に、電流の急激な増加を伴わない。 1T-TaS2 デバイスにおける電荷密度波からの電流密度は、余剰電荷密度波を囲む分解ネットワークで利用可能な自由キャリアの電流密度よりも桁違いに小さい。 1T-TaS2薄膜デバイスにおける電界は、準1Dファンデルワールス材料よりも数桁大きい。 得られた結果は電子回路における帯電密度波素子の応用に重要である。

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