Fugu-MT 論文翻訳(概要): 4.2 K Sensitivity-Tunable Radio Frequency Reflectometry of a Physically Defined P-channel Silicon Quantum Dot

論文の概要: 4.2 K Sensitivity-Tunable Radio Frequency Reflectometry of a Physically Defined P-channel Silicon Quantum Dot

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2105.04832v4
Date: Mon, 8 Nov 2021 22:39:06 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-31 21:06:09.552842
Title: 4.2 K Sensitivity-Tunable Radio Frequency Reflectometry of a Physically Defined P-channel Silicon Quantum Dot
Title（参考訳）: 4.2 K感度可変ラジオ周波数反射率計によるPチャネルシリコン量子ドットの物理特性評価
Authors: Sinan Bugu, Shimpei Nishiyama, Kimihiko Kato, Yongxun Liu, Shigenori Murakami, Takahiro Mori, Thierry Ferrus, Tetsuo Kodera
Abstract要約: 我々は,pチャネルシリコンオン絶縁体量子ドットの液体ヘリウム温度における測定を,無線周波数(rf)反射回路を用いて実証した。この配置により、クーロンダイヤモンドは4.2,Kで、ほぼ最適なマッチング条件と最適な信号対雑音比で観察できる。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We demonstrate the measurement of p-channel silicon-on-insulator quantum dots at liquid helium temperatures by using a radio frequency (rf) reflectometry circuit comprising of two independently tunable GaAs varactors. This arrangement allows observing Coulomb diamonds at 4.2\,K under nearly best matching condition and optimal signal-to-noise ratio. We also discuss the rf leakage induced by the presence of the large top gate in MOS nanostructures and its consequence on the efficiency of rf-reflectometry. These results open the way to fast and sensitive readout in multi-gate architectures, including multi-qubit platforms.
Abstract（参考訳）: 2つの独立可変GaAsバリアーからなる高周波(rf)反射回路を用いて,pチャネルシリコンオン絶縁体量子ドットを液体ヘリウム温度で測定した。この配置により、クーロンダイヤモンドは4.2\,Kで、ほぼ最適なマッチング条件と最適な信号-雑音比で観察できる。また、MOSナノ構造における大きなトップゲートの存在によって引き起こされるrfリークと、rf反射率の効率への影響についても論じる。これらの結果はマルチキュービットプラットフォームを含むマルチゲートアーキテクチャの高速で高感度な読み出しへの道を開く。

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