Fugu-MT 論文翻訳(概要): Transmon qubit with relaxation time exceeding 0.5 milliseconds

論文の概要: Transmon qubit with relaxation time exceeding 0.5 milliseconds

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2105.09890v1
Date: Thu, 20 May 2021 16:45:47 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-30 07:08:44.469511
Title: Transmon qubit with relaxation time exceeding 0.5 milliseconds
Title（参考訳）: 0.5ミリ秒を超える緩和時間を持つトランモン量子ビット
Authors: Chenlu Wang, Xuegang Li, Huikai Xu, Zhiyuan Li, Junhua Wang, Zhen Yang, Zhenyu Mi, Xuehui Liang, Tang Su, Chuhong Yang, Guangyue Wang, Wenyan Wang, Yongchao Li, Mo Chen, Chengyao Li, Kehuan Linghu, Jiaxiu Han, Yingshan Zhang, Yulong Feng, Yu Song, Teng Ma, Jingning Zhang, Ruixia Wang, Peng Zhao, Weiyang Liu, Guangming Xue, Yirong Jin, and Haifeng Yu
Abstract要約: タンタル (Ta) フィルムのドライエッチング法を用いて, 最高寿命 (T1) 503 us のトランスモンクビットを得た。また, 異なる材料 (Ta, Nb, Al) で作製したトランスモンの緩和時間とコヒーレンス時間と, ジョゼフソン接合の同じ設計および製造過程を比較した。
参考スコア（独自算出の注目度）: 19.491447519655704
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: By using the dry etching process of tantalum (Ta) film, we had obtained transmon qubit with the best lifetime (T1) 503 us, suggesting that the dry etching process can be adopted in the following multi-qubit fabrication with Ta film. We also compared the relaxation and coherence times of transmons made with different materials (Ta, Nb and Al) with the same design and fabrication processes of Josephson junction, we found that samples prepared with Ta film had the best performance, followed by those with Al film and Nb film. We inferred that the reason for this difference was due to the different loss of oxide materials located at the metal-air interface.
Abstract（参考訳）: タンタル(ta)フィルムのドライエッチングプロセスを用いて,最高の寿命(t1)503usのトランスモンキュービットを得ることができた。また,異なる材料 (ta, nb, al) を用いて作製したトランスモンの緩和時間とコヒーレンス時間をジョセフソン接合の同一設計と製造プロセスと比較し,ta膜で作製した試料が最も優れた性能を示し,次にal膜とnb膜を用いた試料が得られた。この違いの原因は, 金属-空気界面に位置する酸化物材料の損失が異なっていたことによると考えられる。

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