論文の概要: High-quality superconducting α-Ta film sputtered on heated silicon substrate
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2305.10957v2
- Date: Tue, 7 May 2024 09:59:17 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2024-05-08 20:33:08.040848
- Title: High-quality superconducting α-Ta film sputtered on heated silicon substrate
- Title（参考訳）: シリコン基板上にスパッタした高品質超伝導α-Ta膜
- Authors: Yanfu Wu, Zengqian Ding, Kanglin Xiong, Jiagui Feng,
- Abstract要約: α-Taフィルムは、長いコヒーレンス時間でマルチキュービットを製造するための有望なプラットフォームである。
ここでは,低損失超伝導TiNxバッファ層を有するSi(100)上にスパッタ成長したα-Ta膜について報告する。
500dgCで成長したα-Ta膜の超伝導臨界遷移温度(Tc)と残留比(RRR)は室温(RT)で成長したα-Ta膜よりも高い。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Intrigued by the discovery of the long lifetime in the {\alpha}-Ta/Al2O3-based Transmon qubit, researchers recently found {\alpha}-Ta film is a promising platform for fabricating multi-qubits with long coherence time. To meet the requirements for integrating superconducting quantum circuits, the ideal method is to grow {\alpha}-Ta film on a silicon substrate compatible with industrial manufacturing. Here we report the {\alpha}-Ta film sputter-grown on Si (100) with a low-loss superconducting TiNx buffer layer. The {\alpha}-Ta film with a large growth temperature window has a good crystalline character. The superconducting critical transition temperature (Tc) and residual resistivity ratio (RRR) in the {\alpha}-Ta film grown at 500 {\deg}C are higher than that in the {\alpha}-Ta film grown at room temperature (RT). These results provide crucial experimental clues toward understanding the connection between the superconductivity and the materials' properties in the {\alpha}-Ta film and open a new route for producing a high-quality {\alpha}-Ta film on silicon substrate for future industrial superconducting quantum computers.
- Abstract（参考訳）: 研究者らは最近、Alpha}-Ta/Al2O3をベースとしたTransmon qubitの長い寿命の発見に興味を抱き、複数の量子ビットを長いコヒーレンス時間で製造する上で有望なプラットフォームであることを発見した。
超伝導量子回路を統合するための要件を満たすため、工業製造と互換性のあるシリコン基板上に {\alpha}-Ta薄膜を成長させることが理想的な方法である。
ここでは、低損失超伝導TiNxバッファ層を有するSi(100)上にスパッタ成長した {\alpha}-Ta膜について報告する。
大きな成長温度の窓を持つ {\alpha}-Ta膜の結晶特性は良好である。
超伝導臨界遷移温度 (Tc) と残留比 (RRR) は, 500 {\deg}Cで成長した。
これらの結果は、超伝導と材料特性の関連を理解するための重要な実験的手がかりを提供し、将来の産業超伝導量子コンピュータのためのシリコン基板上に高品質なナアルファ-Ta膜を作るための新たな経路を開く。
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