Fugu-MT 論文翻訳(概要): Epitaxial α-Ta (110) film on a-plane sapphire substrate for superconducting qubits on wafer scale

論文の概要: Epitaxial α-Ta (110) film on a-plane sapphire substrate for superconducting qubits on wafer scale

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2306.09568v2
Date: Tue, 7 May 2024 10:08:59 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2024-05-08 20:23:22.812568
Title: Epitaxial α-Ta (110) film on a-plane sapphire substrate for superconducting qubits on wafer scale
Title（参考訳）: ウエハスケール超伝導量子ビット用平面サファイア基板上のエピタキシャルα-Ta(110)膜
Authors: Boyi Zhou, Lina Yang, Tao Wang, Yanfu Wu, Kanglin Xiong, Jiagui Feng,
Abstract要約: ウエハスケールのa面サファイア上に配向したα-Ta(110)膜を作製した。膜は高い残留抵抗比を示し、これらの膜を用いて作製されたトランスモン量子ビットは、150kmを超える緩和時間を示す。
参考スコア（独自算出の注目度）: 4.375922736705977
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: Realization of practical superconducting quantum computing requires many qubits of long coherence time. Compared to the commonly used Ta deposited on c-plane sapphire, which occasionally form {\alpha}-Ta (111) grains and \b{eta}-tantalum grains, high quality Ta (110) film can grow epitaxial on a-plane sapphire because of the atomic relationships at the interface. Well-ordered {\alpha}-Ta (110) film on wafer-scale a-plane sapphire has been prepared. The film exhibits high residual resistance ratio. Transmon qubits fabricated using these film shows relaxation times exceeding 150 {\mu}s. The results suggest Ta film on a-plane sapphire is a promising choice for long coherence time qubit on wafer scale.
Abstract（参考訳）: 実用的な超伝導量子コンピューティングの実現には長いコヒーレンス時間を必要とする。また,c面サファイア上に堆積したTaは,c面サファイアの原子間関係から高品質のTa(110)膜をエピタキシャルに成長させることができる。ウエハスケールのa面サファイア上に配向した高配向型 {\alpha}-Ta (110) 膜を作製した。このフィルムは高い残留抵抗比を示す。これらのフィルムを用いて作製されたトランスモン量子ビットは、150 {\mu}を超える緩和時間を示す。その結果,a面サファイア上のTa膜は,ウェハスケール上での長時間のコヒーレンス時間クビットに有望な選択であることが示唆された。

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