論文の概要: Probing local density of states near the diffraction limit using nanowaveguide coupled cathode luminescence

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2106.06301v1
• Date: Fri, 11 Jun 2021 10:41:27 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-26 23:40:58.154930
• Title: Probing local density of states near the diffraction limit using nanowaveguide coupled cathode luminescence
• Title（参考訳）: ナノ導波路結合陰極発光を用いた回折限界近傍状態の局所密度検出
• Authors: Yoshinori Uemura, Masaru Irita, Yoshikazu Homma, and Mark Sadgrove
• Abstract要約: 光局所状態密度(PLDOS)は、ナノフォトニックデバイスにおける光物質相互作用強度を決定する。 ナノ導波路結合カソード発光(CL)を用いた導波路サイズパラメータのPLDOS依存性の測定を行った。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: The photonic local density of states (PLDOS) determines the light matter interaction strength in nanophotonic devices. For standard dielectric devices, the PLDOS is fundamentally limited by diffraction, but its precise dependence on the size parameter $s$ of a device can be non-trivial. Here, we measure the PLDOS dependence on the size parameter in a waveguide using a new technique - nanowaveguide coupled cathode luminescence (CL). We observe that depending on the position within the waveguide cross-section, the effective diffraction limit of the PLDOS varies, and the PLDOS peak shape changes. Our results are of fundamental importance for optimizing coupling to nanophotonic devices, and also open new avenues for spectroscopy based on evanescently coupled CL.
• Abstract（参考訳）: 光局所状態密度(PLDOS)は、ナノフォトニックデバイスにおける光物質相互作用強度を決定する。 標準的な誘電体デバイスでは、pldosは回折によって基本的に制限されるが、デバイスのサイズパラメータ$s$への正確な依存は自明ではない。 本稿では,導波路の大きさパラメータに対するPLDOS依存性を,新しいナノ導波路結合カソード発光(CL)を用いて測定する。 導波路断面内の位置により, PLDOSの有効回折限界が変化し, PLDOSのピーク形状が変化することが観察された。 以上の結果から, ナノフォトニックデバイスへのカップリングの最適化や, エバネッセント結合clに基づく分光の新しい方法の確立が重要である。

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