論文の概要: Epitaxial growth and magnetic characterization of EuSe thin films with
various crystalline orientations
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2106.09771v1
- Date: Thu, 17 Jun 2021 19:08:37 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-26 10:29:15.766543
- Title: Epitaxial growth and magnetic characterization of EuSe thin films with
various crystalline orientations
- Title(参考訳): 結晶方位の異なるEuSe薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性
- Authors: Ying Wang, Xinyu Liu, Seul-Ki Bac, Jacek K. Furdyna, Badih A. Assaf,
Maksym Zhukovskyi, Tatyana Orlova, Neil R Dilley, Leonid P. Rokhinson
- Abstract要約: BaF2, Pb1-xEuxSe, GaAs, Bi2Se3基板上に分子線エピタキシャル成長したEuSe薄膜の異なる成長モードとそれに伴う磁気特性を報告する。
高分解能透過電子顕微鏡測定により、(001)および(111)EuSe薄膜の急激かつ高結晶性界面が明らかになった。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 9.351783900191519
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We report different growth modes and corresponding magnetic properties of
thin EuSe films grown by molecular beam epitaxy on BaF2, Pb1-xEuxSe, GaAs, and
Bi2Se3 substrates. We show that EuSe growth predominantly in (001) orientation
on GaAs(111) and Bi2Se3, but along (111) crystallographic direction on BaF2
(111) and Pb1-xEuxSe (111). High-resolution transmission electron microscopy
measurements reveal an abrupt and highly crystalline interface for both (001)
and (111) EuSe films. In agreement with previous studies, ordered magnetic
phases include antiferromagnetic, ferrimagnetic, and ferromagnetic phases. In
contrast to previous studies, we found strong hysteresis for the
antiferromagnetic-ferrimagnetic transition. An ability to grow epitaxial films
of EuSe on Bi2Se3 and of Bi2Se3 on EuSe enables further investigation of
interfacial exchange interactions between various phases of an insulating
metamagnetic material and a topological insulator.
- Abstract(参考訳): BaF2, Pb1-xEuxSe, GaAs, Bi2Se3基板上で分子線エピタキシーにより成長したEuSe薄膜の異なる成長モードとそれに伴う磁気特性を報告する。
その結果,EuSeの成長は(001) GaAs(111) と Bi2Se3 に支配されるが,BaF2(111) と Pb1-xEuxSe(111) の結晶方向に沿って進行することがわかった。
高分解能透過電子顕微鏡観察により、(001)および(111)euse薄膜の急速かつ高結晶界面が明らかになった。
前回の研究では、強磁性相、強磁性相、強磁性相がある。
従来の研究とは対照的に、反強磁性-強磁性遷移の強いヒステリシスを発見した。
bi2se3上のeuseのエピタキシャル膜とeuse上のbi2se3のエピタキシャル膜を成長させる能力は、絶縁性メタ磁性物質とトポロジカル絶縁体の様々な相間の界面交換相互作用のさらなる研究を可能にする。
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論文 参考訳(メタデータ) (2020-02-27T22:09:43Z)
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