Fugu-MT 論文翻訳(概要): Reducing strain in heterogeneous quantum devices using atomic layer deposition

論文の概要: Reducing strain in heterogeneous quantum devices using atomic layer deposition

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2108.05640v1
Date: Thu, 12 Aug 2021 10:12:02 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-03-18 17:23:21.310670
Title: Reducing strain in heterogeneous quantum devices using atomic layer deposition
Title（参考訳）: 原子層堆積を用いた不均一量子デバイスにおけるひずみ低減
Authors: Oscar W. Kennedy, James O'Sullivan, Christoph W. Zollitsch, Chistopher N. Thomas, Stafford Withington, John J.L. Morton
Abstract要約: ALD層の追加は、ひずみが最も高いシリコン/超伝導界面に最も近いスピンのひずみを減少させる。シリコン中のビスマスドナーの超微細なクロック遷移において、デバイスを適切にバイアスすることで、ひずみ拡大を除去できることを示す。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
Abstract: We investigated the use of dielectric layers produced by atomic layer deposition (ALD) as an approach to strain mitigation in composite silicon/superconductor devices operating at cryogenic temperatures. We show that the addition of an ALD layer acts to reduce the strain of spins closest to silicon/superconductor interface where strain is highest. We show that appropriately biasing our devices at the hyperfine clock transition of bismuth donors in silicon, we can remove strain broadening and that the addition of ALD layers left $T_2$ (or temporal inhomogeneities) unchanged in these natural silicon devices.
Abstract（参考訳）: 極低温で動作する複合シリコン/超導体デバイスにおける原子層堆積法(ald)による誘電体層の利用について検討した。また,ald層を添加することで,ひずみが最も高いシリコン/超導体界面に最も近いスピンのひずみを低減できることを示した。シリコン中のビスマスドナーの超微細なクロック遷移において、デバイスを適切にバイアスし、ひずみ拡大を除去し、これらの天然シリコンデバイスにALD層を追加してもT_2$(あるいは時間的不均一性)は変化しないことを示した。

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