論文の概要: Reply to arXiv:2102.11963, An experimental demonstration of the
memristor test, Y. V. Pershin, J. Kim, T. Datta, M. Di Ventra, 23 Feb 2021.
Does an ideal memristor truly exist?
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2108.05708v1
- Date: Tue, 10 Aug 2021 08:11:51 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2021-08-14 05:42:28.760823
- Title: Reply to arXiv:2102.11963, An experimental demonstration of the
memristor test, Y. V. Pershin, J. Kim, T. Datta, M. Di Ventra, 23 Feb 2021.
Does an ideal memristor truly exist?
- Title（参考訳）: arXiv:2102.1 1963, a experimental demonstration of the memristor test, Y. V. Pershin, J. Kim, T. Datta, M. Di Ventra, 23 Feb 2021
理想的なmemristorは本当に存在するのか?
- Authors: Frank Zhigang Wang
- Abstract要約: 本稿では,複数あるいは無限の安定状態を持ち,寄生的インダクタンスを持たない完全機能的理想メムリスタの作り方について議論する。
理想的なミームリスタが存在しない、あるいは純粋に数学的概念であるかもしれないという彼らの予想とは対照的に、研究者が理想的なミームリスタを発見することは楽観的である。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: After a decade of research, we developed a prototype device and
experimentally demonstrated that the direct phi q interaction could be
memristive, as predicted by Chua in 1971. With a constant input current to
avoid any parasitic inductor effect, our device meets three criteria for an
ideal memristor: a single valued, nonlinear, continuously differentiable, and
strictly monotonically increasing constitutive phi q curve, a pinched v i
hysteresis loop, and a charge only dependent resistance. Our work represents a
step forward in terms of experimentally verifying the memristive flux charge
interaction but we have not reached the final because this prototype still
suffers from two serious limitations: 1, a superficial but dominant inductor
effect (behind which the above memristive fingerprints hide) due to its
inductor-like core structure, and 2. bistability and dynamic sweep of a
continuous resistance range. In this article, we also discuss how to make a
fully functioning ideal memristor with multiple or an infinite number of stable
states and no parasitic inductance, and give a number of suggestions, such as
open structure, nanoscale size, magnetic materials with cubic anisotropy (or
even isotropy), and sequential switching of the magnetic domains. Additionally,
we respond to a recent challenge from arXiv.org that claims that our device is
simply an inductor with memory since our device did not pass their designed
capacitor-memristor circuit test. Contrary to their conjecture that an ideal
memristor may not exist or may be a purely mathematical concept, we remain
optimistic that researchers will discover an ideal memristor in nature or make
one in the laboratory based on our current work.
- Abstract（参考訳）: 10年間の研究の後、1971年にチュアが予測したように、我々はプロトタイプ装置を開発し、直接の phi q 相互作用が解釈可能であることを実験的に実証した。
寄生的インダクタ効果を避けるための一定の入力電流により、デバイスは理想的なmemristorの3つの基準を満たす:単一値、非線形、連続微分可能、厳密に単調に増大する構成的phi q曲線、ピン留めされたviヒステリシスループ、電荷のみ依存抵抗。
本研究は, 旋回流束電荷相互作用を実験的に検証する上での一歩であり, 最終段階には到達していない。なぜなら, この試作機は, 1 つの重大な限界を被っているからである。
本稿では, 複数あるいは無限の安定状態と寄生インダクタンスを持たない完全機能理想メムリスタの作り方についても論じるとともに, オープン構造, ナノスケールサイズ, 立方体異方性(あるいは等方性)を持つ磁性材料, 磁区の逐次切替など, 様々な提案を行う。
さらに、我々はarXiv.orgの最近の課題に答え、私たちのデバイスは、設計したコンデンサ-メムリスタ回路テストに合格しなかったため、単にメモリを持つインダクタであると主張している。
理想的な memristor が存在しない、あるいは純粋に数学的な概念である、という彼らの予想とは対照的に、私たちは研究者が自然界で理想的な memristor を発見したり、現在の研究に基づいて実験室でそれを作るであろうと楽観的に考えています。
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