論文の概要: Comment on Kuwahara et al., Intensity Interference in a Coherent
Spin-Polarized Electron Beam, Phys. Rev. Lett. 126, 125501 (2021)
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2111.02890v1
- Date: Mon, 1 Nov 2021 19:38:00 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-09 16:40:34.285942
- Title: Comment on Kuwahara et al., Intensity Interference in a Coherent
Spin-Polarized Electron Beam, Phys. Rev. Lett. 126, 125501 (2021)
- Title(参考訳): Coherent Spin-Polarized Electron Beam, Phys における強度干渉
Rev. Lett.
126, 125501 (2021)
- Authors: Herman Batelaan, Sam Keramati and T. J. Gay
- Abstract要約: GaAs/GaAsPサンプルのひずみは一軸であり、光電子放出における線形二色性は15%と予測される。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: The claim that Kuwahara et al. [1] have reported the observation of a Hanbury
Brown-Twiss electron antibunching dip (their Fig. 3) could possibly be
explained as an electron source emission rate dependency on the light
polarization. Strain on their GaAs/GaAsP sample is uniaxial, and one would
expect a linear dichroism in the photoemission possibly as large as 15% [7] -
much larger than the 0.1% reported effect. The same concern exist for circular
polarized light.
- Abstract(参考訳): クワハラとアルの主張。
[1] は、ハンベリー・ブラウン・ツイツ電子反結合ディップの観測を報告している(第3図)が、光偏光への電子源放出速度依存性として説明できる可能性がある。
GaAs/GaAsP試料のひずみは一軸であり、光電子放出における線形二色性は0.1%よりも15%[7]大きいと予測される。
円偏光についても同様の懸念がある。
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