論文の概要: Engineering of topological phases in driven thin topological insulator:
Structure inversion asymmetry effect
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2112.09956v1
- Date: Sat, 18 Dec 2021 16:14:47 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-03-04 04:53:50.762516
- Title: Engineering of topological phases in driven thin topological insulator:
Structure inversion asymmetry effect
- Title（参考訳）: 駆動型トポロジカル絶縁体におけるトポロジカル位相の工学:構造反転非対称性効果
- Authors: S. Sajad Dabiri, Hosein Cheraghchi
- Abstract要約: 我々は、円偏光と直線偏光の両面を持つ高周波電磁場が、薄型トポロジカル絶縁体における量子位相の出現に及ぼす影響について検討する。
我々は、Floquet Hamiltonian の拡張を 1/Omega の順序で検討できる高周波系に注目している。
量子異常ホール絶縁体、量子擬似スピンホール絶縁体、量子スピンホール絶縁体、および通常の絶縁体の間のいくつかの相転移は、上記のシステムのパラメータを変更することで誘導することができる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We investigate the effect of a high frequency electromagnetic field with both
of circularly and linearly polarization, on the emergence of quantum phases on
thin topological insulators. Simultaneously, the influence of the system
parameters (such as magnetic impurity, thickness engineering and structural
inversion asymmetry of the potential) on emergence of topological phases is
studied. We take our attention to the high frequency regime in which it is
possible to consider an expansion for the Floquet Hamiltonian in terms of
orders of 1/\Omega. The topological invariants are determined and it is
demonstrated that some phase transitions between quantum anomalous Hall
insulator, quantum pseudospin Hall insulator, quantum spin Hall insulator and
normal insulator can be induced by altering the aforementioned parameters of
the system. To avoid heating process, tuning of the system parameters gives us
the opportunity to observe these phase transitions at small intensities of
light.
- Abstract（参考訳）: 我々は、円偏光と直線偏光の両方の高周波電磁場が、薄型トポロジカル絶縁体における量子位相の出現に及ぼす影響について検討する。
同時に、トポロジカル位相の出現に対する系パラメータ(磁気不純物、厚さ工学、ポテンシャルの構造反転非対称性など)の影響について研究した。
我々は、Floquet Hamiltonian に対する 1/\Omega の順序で拡張を考えることが可能な高周波系に注目している。
トポロジカル不変量は決定され、上記のシステムのパラメータを変更することにより、量子異常ホール絶縁体、量子擬似スピンホール絶縁体、量子スピンホール絶縁体、および正規絶縁体の間の相転移が誘導できることが示されている。
加熱プロセスを避けるため、システムパラメータのチューニングにより、小さな光強度でこれらの相転移を観測する機会が得られる。
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