論文の概要: High-precision real-space simulation of electrostatically-confined
few-electron states
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2203.00082v1
- Date: Mon, 28 Feb 2022 20:31:29 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-23 17:29:57.345549
- Title: High-precision real-space simulation of electrostatically-confined
few-electron states
- Title（参考訳）: 静電多電子状態の高精度実空間シミュレーション
- Authors: Christopher R. Anderson, Mark F. Gyure, Sam Quinn, Andrew Pan, Richard
S. Ross, Andrey A. Kiselev
- Abstract要約: 量子ドットデバイスに対する現実的な解析静電ポテンシャルに基づくベンチマーク問題を提案する。
提案手法は, 広範囲なモデルパラメータに対して, 高精度な計算エネルギーとエネルギー差をもたらすことを示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: In this paper we present a computational procedure that utilizes real-space
grids to obtain high precision approximations of electrostatically confined
few-electron states such as those that arise in gated semiconductor quantum
dots. We use the Full Configuration Interaction (FCI) method with a
continuously adapted orthonormal orbital basis to approximate the ground and
excited states of such systems. We also introduce a benchmark problem based on
a realistic analytical electrostatic potential for quantum dot devices. We show
that our approach leads to highly precise computed energies and energy
differences over a wide range of model parameters. The analytic definition of
the benchmark allows for a collection of tests that are easily replicated, thus
facilitating comparisons with other computational approaches.
- Abstract（参考訳）: 本稿では、実空間格子を用いて、ゲート型半導体量子ドットで発生するような静電気的に閉じ込められた少数電子状態の高精度な近似を求める。
このような系の接地状態と励起状態の近似には、連続的に適応した正規直交軌道基底を持つfci法(full configuration interaction)を用いる。
また,量子ドットデバイスに対する現実的な解析静電ポテンシャルに基づくベンチマーク問題を提案する。
提案手法は,多種多様なモデルパラメータにおいて,高精度な計算エネルギーとエネルギー差をもたらすことを示す。
ベンチマークの分析定義は、容易に複製できるテストの集合を可能にし、他の計算手法との比較を容易にする。
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