Fugu-MT 論文翻訳(概要): Enhanced Valley Splitting in Si Layers with Oscillatory Ge Concentration

論文の概要: Enhanced Valley Splitting in Si Layers with Oscillatory Ge Concentration

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2206.08331v1
Date: Thu, 16 Jun 2022 17:34:42 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-02-09 04:23:27.181855
Title: Enhanced Valley Splitting in Si Layers with Oscillatory Ge Concentration
Title（参考訳）: 振動ge濃度をもつsi層中の強化谷分割
Authors: Yi Feng and Robert Joynt (University of Wisconsin-Madison)
Abstract要約: Si量子ビットデバイスにおけるバレー縮退は、量子情報処理に使用する問題を示す。振動するGe濃度が谷を結合するウィグルウェルアーキテクチャを用いて、この縮退性を持ち上げることが可能である。
参考スコア（独自算出の注目度）: 1.3135234328352885
License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
Abstract: The valley degeneracy in Si qubit devices presents problems for their use in quantum information processing. It is possible to lift this degeneracy by using the Wiggle Well architecture, in which an oscillatory Ge concentration couples the valleys. This paper presents the basic theory of this phenomenon together with model calculations using the empirical pseudopotential theory to obtain the overall magnitude of this effect and its dependence on the wavelength of the concentration oscillations. We derive an important selection rule which can limit the effectiveness of the Wiggle Well in certain circumstances.
Abstract（参考訳）: Si量子ビットデバイスにおけるバレー縮退は、量子情報処理に使用する問題を示す。振動するGe濃度が谷を結合するウィグルウェルアーキテクチャを用いて、この縮退性を持ち上げることが可能である。本稿では,この現象の基本理論と経験的擬ポテンシャル理論を用いたモデル計算を行い,この効果の全体の大きさと濃度振動の波長依存性について述べる。特定の状況においてウィグルの有効性を十分に制限できる重要な選択規則を導出する。

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