論文の概要: Strongly bound excitons in monolayer MoSi$_2$Z$_4$ (Z = pnictogen)

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2207.04409v1
• Date: Sun, 10 Jul 2022 07:59:16 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-05 14:52:56.409288
• Title: Strongly bound excitons in monolayer MoSi$_2$Z$_4$ (Z = pnictogen)
• Title（参考訳）: 単層MoSi$_2$Z$_4$(Z = ピニトゲン)の強結合励起子
• Authors: Pushpendra Yadav, Bramhachari Khamari, Bahadur Singh, K. V. Adarsh, and Amit Agarwal
• Abstract要約: 新たに発見された合成MoSi$$Z$_4$材料の単層ファミリーのバンドギャップにおける励起子の存在を実証する。 我々の研究は、MoSi$$Z$_4$の単層膜が強い束縛励起子の物理とその非平衡動力学を探求するためのエキサイティングなテストベッドを提供することを示した。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 1.321203201549798
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: Reduced dielectric screening in two-dimensional materials enables bound excitons, which modifies their optical absorption and optoelectronic response even at room temperature. Here, we demonstrate the existence of excitons in the bandgap of the monolayer family of the newly discovered synthetic MoSi$_2$Z$_4$ (Z = N, P, and As) series of materials. All three monolayers support several bright and strongly bound excitons with binding energies varying from 1 eV to 1.35 eV for the lowest energy exciton resonances. On increasing the pump fluence, the exciton binding energies get renormalized, leading to a redshift-blueshift crossover. Our study shows that the MoSi$_2$Z$_4$ series of monolayers offer an exciting test-bed for exploring the physics of strongly bound excitons and their non-equilibrium dynamics.
• Abstract（参考訳）: 二次元材料の誘電体スクリーニングは、室温でも光吸収と光電子応答を修飾する結合励起子を可能にする。 ここでは、新たに発見された合成MoSi$_2$Z$_4$ (Z = N, P, As) 系の単層ファミリーのバンドギャップにおける励起子の存在を実証する。 3つの単分子膜は、最低エネルギー励起子共鳴のために1 eVから1.35 eVの結合エネルギーを持ついくつかの明るい強い結合励起子を担っている。 ポンプフルエンスの増加に伴い、エキシトン結合エネルギーは再正規化され、赤方偏移の交叉が起こる。 我々の研究は、MoSi$_2$Z$_4$シリーズが強い束縛励起子の物理とその非平衡動力学を探求するためのエキサイティングなテストベッドを提供することを示している。

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