論文の概要: Enhancement of chiral edge currents in ($d$+1)-dimensional atomic Mott-band hybrid insulators

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2207.13973v1
• Date: Thu, 28 Jul 2022 09:32:39 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-02-03 05:17:12.552484
• Title: Enhancement of chiral edge currents in ($d$+1)-dimensional atomic Mott-band hybrid insulators
• Title（参考訳）: d$+1)次元原子モットバンドハイブリッド絶縁体におけるキラルエッジ電流の増大
• Authors: Matteo Ferraretto, Andrea Richaud, Lorenzo Del Re, Leonardo Fallani, Massimo Capone
• Abstract要約: 局所的な原子間反発がラマン過程によって離散的な合成次元が生成される合成はしごやヘテロ構造に及ぼす影響を考察する。 モットバンド絶縁体への遷移は低エネルギー準粒子ピーク内のギャップの開きと関連するが、平均場像は絶縁状態の奥深くに回収される。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.31498833540989407
• License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
• Abstract: We consider the effect of a local interatomic repulsion on synthetic ladders and heterostructures where a discrete synthetic dimension is created by Raman processes on top of $SU(N)$-symmetric lattice systems. At a filling of one fermion per site, increasing the interaction strength, the system is driven towards a Mott state which is adiabatically connected to a band insulator. The chiral currents associated with the synthetic magnetic field increase all the way to the Mott transition where they reach the maximum value, and they remain finite in the whole insulating state. The transition towards the Mott-band insulator is associated with the opening of a gap within the low-energy quasiparticle peak, while a mean-field picture is recovered deep in the insulating state.
• Abstract（参考訳）: 局所的な原子間反発が合成ラダーやヘテロ構造に及ぼす影響について考察し, 離散的な合成次元は$su(n)$-対称格子系上でラマン過程によって生成される。 サイト毎の1フェミオンの充填と相互作用強度の増大により、システムはバンド絶縁体に断熱的に接続されたモット状態に向かって駆動される。 合成磁場に関連するキラル電流は、最大値に達するモット転移まで上昇し、絶縁状態全体では有限のままである。 モットバンド絶縁体への遷移は低エネルギー準粒子ピーク内のギャップの開口と関連し、平均場像は絶縁状態の奥深くで回収される。

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