Fugu-MT 論文翻訳(概要): Stacking-induced Chern insulator

論文の概要: Stacking-induced Chern insulator

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2208.02491v3
Date: Fri, 13 Jan 2023 11:43:07 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-02-02 07:31:36.772014
Title: Stacking-induced Chern insulator
Title（参考訳）: 積層誘起チャーン絶縁体
Authors: Marwa Manna\"i, Jean-No\"el Fuchs, Fr\'ed\'eric Pi\'echon and Sonia Haddad
Abstract要約: グラフェンは半金属に変形し、時間反転対称性を損なう。修正Haldaneモデルの2つの時間反転コピーを積み重ねて得られた2層について考察する。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/
Abstract: Graphene can be turned into a semimetal with broken time-reversal symmetry by adding a valley-dependent pseudo-scalar potential that shifts the Dirac point energies in opposite directions, as in the modified Haldane model. We consider a bilayer obtained by stacking two time-reversed copies of the modified Haldane model, where conduction and valence bands cross to give rise to a nodal line in each valleys. In the AB stacking, the interlayer hopping lifts the degeneracy of the nodal lines and induces a band repulsion, leading surprisingly to a chiral insulator with a Chern number $C=\pm2$. As a consequence a pair of chiral edge states appears at the boundaries of the ribbon bilayer geometry. In contrast, the AA stacking does not show nontrivial topological phases. We discuss possible experimental implementations of our results.
Abstract（参考訳）: グラフェンは、変形したハルダンモデルのようにディラック点エネルギーを反対方向に移動するバレー依存擬スカラーポテンシャルを加えることで、時間反転対称性を破った半金属にすることができる。修正Haldaneモデルの2つの時間反転コピーを積み重ねて得られた2層構造を考える。 AB積層では、層間ホッピングは節線の縮退性を持ち上げ、バンドの反発を誘発し、チャーン数$C=\pm2$のキラル絶縁体に驚くほど繋がる。その結果、一対のキラルエッジ状態がリボン二重層幾何の境界に現れる。対照的に、AA積み重ねは非自明な位相位相を示さない。実験結果の実装の可能性について論じる。

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