論文の概要: Effect of strain on tunneling time in graphene magnetic barrier
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2208.14386v1
- Date: Tue, 30 Aug 2022 16:52:10 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-28 11:42:03.536429
- Title: Effect of strain on tunneling time in graphene magnetic barrier
- Title（参考訳）: グラフェン磁気バリアのトンネル時間に及ぼすひずみの影響
- Authors: Youssef Fattasse, Miloud Mekkaoui, Ahmed Jellal, Abdelhadi Bahaoui
- Abstract要約: ゲート電圧とひずみは,群遅延をサブ輝度から超輝度に変化させる能力を有することを示す。
これは高速グラフェン系ナノエレクトロニクスにおいて重要な用途を持つ可能性がある。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We solve the Dirac equation in three regions of graphene to get the solutions
of the energy spectrum in connection to the strain, energy gap, and magnetic
field. The Goos-H\"anchen shifts and group delay time will be obtained by
applying the stationary phase approximation after the wave functions at the
interfaces have been matched. Our results suggest that the group delay time is
influenced by the presence of strain along the armchair and zigzag directions.
We show that the gate voltage and strain have the ability to change the group
delay from subluminality to superluminality. This may have significant uses in
high-speed graphene-based nanoelectronics.
- Abstract（参考訳）: グラフェンの3つの領域におけるディラック方程式を解くことで、ひずみ、エネルギーギャップ、磁場に関連するエネルギースペクトルの解を得る。
界面の波動関数が一致した後の定常位相近似を適用することにより、goos-h\"anchenシフトと群遅延時間を求める。
以上の結果から, 群遅延時間は, アームチェアやジグザグ方向のひずみの存在の影響が示唆された。
ゲート電圧とひずみは,群遅延をサブ輝度から超輝度に変化させる能力を有することを示す。
これは高速グラフェン系ナノエレクトロニクスにおいて重要な用途を持つ可能性がある。
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