論文の概要: Charge-carrier complexes in monolayer semiconductors

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2209.01593v1
• Date: Sun, 4 Sep 2022 11:06:15 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-01-27 23:17:01.615835
• Title: Charge-carrier complexes in monolayer semiconductors
• Title（参考訳）: 単層半導体における電荷キャリア錯体
• Authors: E. Mostaani, R. J. Hunt, D. M. Thomas, M. Szyniszewski, A. R. P. Montblanch, M. Barbone, M. Atature, N. D. Drummond, A. C. Ferrari
• Abstract要約: 1L半導体の発光(PL)スペクトルは、異なる電荷キャリア錯体に代表されるピークを特徴とする。 電荷キャリア錯体の結合エネルギーの拡散量子モンテカルロシミュレーションを行う。 我々の結果は1L半導体のPLスペクトルにおける電荷錯体の同定に役立つ
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
• Abstract: The photoluminescence (PL) spectra of monolayer (1L) semiconductors feature peaks ascribed to different charge-carrier complexes. We perform diffusion quantum Monte Carlo simulations of the binding energies of these complexes and examine their response to electric and magnetic fields. We focus on quintons (charged biexcitons), since they are the largest free charge-carrier complexes in transition-metal dichalcogenides (TMDs). We examine the accuracy of the Rytova-Keldysh interaction potential between charges by comparing the binding energies of charge-carrier complexes in 1L-TMDs with results obtained using $\textit{ab initio}$ interaction potentials. Magnetic fields$<8$T change the binding energies (BEs) by$\sim0.2$ meV,T$^{-1}$, in agreement with experiments, with the BE variations of different complexes being very similar. Our results will help identify charge complexes in the PL spectra of 1L-semiconductors
• Abstract（参考訳）: 単層(1l)半導体の光ルミネッセンス(pl)スペクトルは、異なる電荷キャリア錯体のピークを示す。 これらの錯体の結合エネルギーの拡散量子モンテカルロシミュレーションを行い、電場および磁場に対する応答について検討する。 遷移金属ジアルコゲナイド (TMD) 中では最大の自由電荷担持錯体であるため, クイントン (チャージバイエクシトン) に着目した。 1L-TMDにおける電荷キャリア錯体の結合エネルギーと$\textit{ab initio}$相互作用ポテンシャルを用いた結果を比較することにより,電荷間のリトバ-ケルディッシュ相互作用ポテンシャルの精度を検証した。 磁場$<8$tは結合エネルギー(be)を実験と一致して$\sim0.2$ mev,t$^{-1}$に変更し、異なる錯体のbeの変異は非常に似ている。 我々の結果は1L半導体のPLスペクトルにおける電荷錯体の同定に役立つ

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