論文の概要: Sideband Cooling of a Trapped Ion in Strong Sideband Coupling Regime
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2211.08896v1
- Date: Wed, 16 Nov 2022 13:10:49 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-01-19 09:35:47.413255
- Title: Sideband Cooling of a Trapped Ion in Strong Sideband Coupling Regime
- Title（参考訳）: 強サイドバンド結合レジームにおけるトラップイオンのサイドバンド冷却
- Authors: Shuo Zhang, Zhuo-Peng Huang, Tian-Ci Tian, Zheng-Yang Wu, Jian-Qi
Zhang, Wan-Su Bao, Chu Guo
- Abstract要約: 強側バンド結合系における捕捉イオンの基底状態冷却について検討した。
結合レーザを適切に調整することにより、直線幅に比例した冷却率が得られることを示す。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 5.739846293346471
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Conventional theoretical studies on the ground-state laser cooling of a
trapped ion have mostly focused on the weak sideband coupling (WSC) regime,
where the cooling rate is inverse proportional to the linewidth of the excited
state. In a recent work~[New J. Phys. 23, 023018 (2021)], we proposed a
theoretical framework to study the ground state cooling of a trapped ion in the
strong sideband coupling (SSC) regime, under the assumption of a vanishing
carrier transition. Here we extend this analysis to more general situations
with nonvanishing carrier transitions, where we show that by properly tuning
the coupling lasers a cooling rate proportional to the linewidth can be
achieved. Our theoretical predictions closely agree with the corresponding
exact solutions in the SSC regime, which provide an important theoretical
guidance for sideband cooling experiments.
- Abstract（参考訳）: 閉じ込められたイオンの基底状態レーザー冷却に関する従来の理論的研究は、主に弱いサイドバンドカップリング(WSC)機構に焦点を当てており、冷却速度は励起状態の直線幅に逆比例する。
最近の研究—[new j. phys. 23, 023018 (2021)]では、キャリア遷移の消滅を前提として、強側帯結合(ssc)状態における捕捉イオンの基底状態冷却を研究するための理論的枠組みを提案した。
ここでは,この解析を非有線キャリア遷移を伴うより一般的な状況に拡張し,結合レーザを適切に調整することで,線幅に比例する冷却速度が得られることを示す。
我々の理論的予測は、サイドバンド冷却実験において重要な理論的ガイダンスを提供するSSC体制における対応する正確な解と密接に一致している。
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