論文の概要: Second Quantization: Gating a Quantum Dot Through the Sequential Removal
of Single Electrons from a Nanoscale Floating Gate
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2302.07949v1
- Date: Wed, 15 Feb 2023 21:03:17 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-17 15:47:31.560687
- Title: Second Quantization: Gating a Quantum Dot Through the Sequential Removal
of Single Electrons from a Nanoscale Floating Gate
- Title（参考訳）: 第2量子化:ナノスケール浮遊ゲートからの単一電子の逐次除去による量子ドットのゲーティング
- Authors: Artem O. Denisov, Gordian Fuchs, Seong W. Oh, and Jason R. Petta
- Abstract要約: 原子間力顕微鏡(AFM)の先端を用いてSi/SiGeヘテロ構造の表面に定義された浮遊金属ゲートを充電する。
AFMチップを使用すると、量子ドット浮動ゲートのサイズを$sim100mathrmnm$に削減できる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We use the tip of an atomic force microscope (AFM) to charge floating
metallic gates defined on the surface of a Si/SiGe heterostructure. The AFM tip
serves as an ideal and movable cryogenic switch, allowing us to bias a floating
gate to a specific voltage and then lock the charge on the gate by withdrawing
the tip. Biasing with an AFM tip allows us to reduce the size of a quantum dot
floating gate electrode down to $\sim100~\mathrm{nm}$. Measurements of the
conductance through a quantum dot formed beneath the floating gate indicate
that its charge changes in discrete steps. From the statistics of the
single-electron leakage events, we determine the floating gate leakage
resistance $R \sim 10^{19}~ \mathrm{Ohm}$ - a value immeasurable by
conventional means.
- Abstract（参考訳）: 原子間力顕微鏡(AFM)の先端を用いてSi/SiGeヘテロ構造の表面に定義された浮遊金属ゲートを充電する。
AFMチップは理想的かつ可動的な低温スイッチとして機能し、フローティングゲートを特定の電圧にバイアスし、チップを取り出すことでゲートの電荷をロックすることができる。
AFMチップを使用すると、量子ドットフローティングゲート電極のサイズを$\sim100~\mathrm{nm}$に削減できる。
浮遊ゲートの下に形成された量子ドットによるコンダクタンスの測定は、電荷が離散的なステップで変化することを示している。
単一電子漏洩事象の統計から、フローティングゲートリーク抵抗 $r \sim 10^{19}~ \mathrm{ohm}$ - 従来の手法では測定できない値を決定する。
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