論文の概要: Dispersive readout of a silicon quantum device using an atomic force
microscope-based rf gate sensor
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2305.05571v1
- Date: Tue, 9 May 2023 15:59:57 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-10 19:25:30.707502
- Title: Dispersive readout of a silicon quantum device using an atomic force
microscope-based rf gate sensor
- Title（参考訳）: 原子間力顕微鏡を用いたrfゲートセンサを用いたシリコン量子デバイスの分散読み出し
- Authors: Artem O. Denisov, Gordian Fuchs, Seong W. Oh, and Jason R. Petta
- Abstract要約: サブミクロンフローティングゲートを高周波反射率(rf-reflectometry)回路に結合させることにより,Si/SiGe単一および二重量子ドット(DQD)の分散電荷検出を実証する。
フローティングゲートの小さなサイズは、分散電荷センシングデータの解釈を複雑にする寄生電荷トラップとの結合を大きく排除する。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: We demonstrate dispersive charge sensing of Si/SiGe single and double quantum
dots (DQD) by coupling sub-micron floating gates to a radio frequency
reflectometry (rf-reflectometry) circuit using the tip of an atomic force
microscope (AFM). Charge stability diagrams are obtained in the phase response
of the reflected rf signal. We demonstrate single-electron dot-to-lead and
dot-to-dot charge transitions with a signal-to-noise ratio (SNR) of 2 and
integration time of $\tau~=~2.7~\mathrm{ms}$ and $\tau~=~6.4~\mathrm{ms}$,
respectively. The charge sensing SNR compares favorably with results obtained
on conventional devices. Moreover, the small size of the floating gates largely
eliminates the coupling to parasitic charge traps that can complicate the
interpretation of the dispersive charge sensing data.
- Abstract（参考訳）: 原子間力顕微鏡(afm)の先端を用いて,サブミクロンフローティングゲートと高周波反射率計(rf-reflectometry)回路を結合することにより,si/sigeシングルおよびダブル量子ドット(dqd)の分散電荷センシングを示す。
反射rf信号の位相応答において電荷安定性図を得る。
2 の信号対雑音比 (SNR) と $\tau~=~2.7~\mathrm{ms}$ と $\tau~=~6.4~\mathrm{ms}$ の積分時間を持つ単電子ドット対リードとドット対ドットの電荷遷移を示す。
電荷センシングSNRは、従来の装置で得られた結果と良好に比較する。
さらに、フローティングゲートの小型化は、分散電荷センシングデータの解釈を複雑にする寄生電荷トラップとの結合を大幅に排除する。
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