論文の概要: Characterization of Asymmetric Gap-Engineered Josephson Junctions and 3D
Transmon Qubits
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2302.12280v1
- Date: Thu, 23 Feb 2023 19:05:53 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-02-27 15:37:14.837941
- Title: Characterization of Asymmetric Gap-Engineered Josephson Junctions and 3D
Transmon Qubits
- Title（参考訳）: 非対称ギャップエンジニアリングジョセフソン接合と3次元トランスモン量子ビットのキャラクタリゼーション
- Authors: Zach Steffen, S. K. Dutta, Haozhi Wang, Kungang Li, Yizhou Huang,
Yi-Hsiang Huang, Advait Mathur, F. C. Wellstood, B. S. Palmer
- Abstract要約: 非対称なギャップ工学的接合とトランスモン素子を作製し,特徴付けてきた。
非対称なギャップを持つジョセフソン接合を生成するために、TiはAl反電極の超伝導ギャップを促進・低下するために用いられた。
ジョセフソン接合部のDC IV測定では、超伝導ギャップ以下の電圧バイアスに対して、ギャップが減少し、余分な電流が大きくなる。
- 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.9485862597874625
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: We have fabricated and characterized asymmetric gap-engineered junctions and
transmon devices. To create Josephson junctions with asymmetric gaps, Ti was
used to proximitize and lower the superconducting gap of the Al
counter-electrode. DC IV measurements of these small, proximitized Josephson
junctions show a reduced gap and larger excess current for voltage biases below
the superconducting gap when compared to standard Al/AlOx/Al junctions. The
energy relaxation time constant for an Al/AlOx/Al/Ti 3D transmon was T1 = 1
{\mu}s, over two orders of magnitude shorter than the measured T1 = 134 {\mu}s
of a standard Al/AlOx/Al 3D transmon. Intentionally adding disorder between the
Al and Ti layers reduces the proximity effect and subgap current while
increasing the relaxation time to T1 = 32 {\mu}s.
- Abstract（参考訳）: 我々は、非対称ギャップエンジニアリングジャンクションとトランスモンデバイスを構築し、特徴付ける。
非対称なギャップを持つジョセフソン接合を作るために、tiはal反電極の超伝導ギャップを補間し下げるために用いられた。
ジョセフソン接合のDC IV測定では、通常のAl/AlOx/Al接合と比較して、超伝導ギャップ以下の電圧バイアスに対して、ギャップが小さく、余分な電流が大きい。
Al/AlOx/Al/Ti 3Dトランスモンのエネルギー緩和時間はT1 = 1 {\mu}sであり、標準Al/AlOx/Al 3DトランスモンのT1 = 134 {\mu}sよりも2桁短い。
Al層とTi層の間に意図的に障害を加えると、近接効果とサブギャップ電流が減少し、緩和時間はT1 = 32 {\mu}sに増加する。
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