論文の概要: Quantum gas-enabled direct mapping of active current density in
percolating networks of nanowires
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2303.12035v2
- Date: Thu, 9 Nov 2023 15:27:42 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-11-10 18:36:46.620168
- Title: Quantum gas-enabled direct mapping of active current density in
percolating networks of nanowires
- Title(参考訳): ナノワイヤのパーコレーションネットワークにおける活性電流密度の量子ガス対応直接マッピング
- Authors: J. Fekete, P. Joshi, T. J. Barrett, T. M. James, R. Shah, A. Gadge, S.
Bhumbra, F. Oru\v{c}evi\'c, P. Kr\"uger
- Abstract要約: 本稿ではBose-Einstein顕微鏡を導入し,2次元材料におけるアクティブ電流流の画像化の長年の問題に対処する。
既存の熱画像法と組み合わせることで、電気的特性と熱的特性の仮定が不要になることを示す。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://arxiv.org/licenses/nonexclusive-distrib/1.0/
- Abstract: Electrically percolating nanowire networks are amongst the most promising
candidates for next-generation transparent electrodes. Scientific interest in
these materials stems from their intrinsic current distribution heterogeneity,
leading to phenomena like percolating pathway re-routing and localized
self-heating, which can cause irreversible damage. Without an experimental
technique to resolve the current distribution, and an underpinning nonlinear
percolation model, one relies on empirical rules and safety factors to engineer
these materials. We introduce Bose-Einstein microscopy to address the
long-standing problem of imaging active current flow in 2D materials. We report
on improvement of the performance of this technique, whereby observation of
dynamic redistribution of current pathways becomes feasible. We show how this,
combined with existing thermal imaging methods, eliminates the need for
assumptions between electrical and thermal properties. This will enable testing
and modelling individual junction behaviour and hotspot formation.
Investigating both reversible and irreversible mechanisms will contribute to
the advancement of devices with improved performance and reliability.
- Abstract(参考訳): 電気的にパーコレーションするナノワイヤネットワークは、次世代透明電極の最も有望な候補である。
これらの物質に対する科学的な関心は、固有の電流分布の不均一性に起因し、パーコレーション経路の再描画や局所的な自己加熱のような現象を引き起こし、不可逆的な損傷を引き起こす。
現在の分布を解くための実験的手法や非線形パーコレーションモデルがなければ、これらの材料を設計するには経験則と安全因子に依存する。
本稿ではBose-Einstein顕微鏡を導入し、2次元材料におけるアクティブ電流流の長期的問題に対処する。
本稿では,本手法の性能向上について報告し,電流経路の動的再分布の観測が可能となる。
既存のサーマルイメージング法と組み合わせることで、電気的性質と熱的性質の間の仮定が不要になることを示す。
これにより、個々の接合挙動とホットスポット形成のテストとモデリングが可能になる。
可逆性と不可逆性の両方のメカニズムを調査することは、性能と信頼性を改善したデバイスの進歩に寄与する。
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