論文の概要: Interface and electromagnetic effects in the valley splitting of Si quantum dots

• arxiv url: http://arxiv.org/abs/2303.13661v1
• Date: Thu, 23 Mar 2023 20:30:53 GMT
• ステータス: 処理完了
• システム内更新日: 2023-03-27 16:30:10.914110
• Title: Interface and electromagnetic effects in the valley splitting of Si quantum dots
• Title（参考訳）: Si量子ドットの谷分割における界面と電磁効果
• Authors: Jonas R. F. Lima and Guido Burkard
• Abstract要約: 電磁界と界面幅がSi/SiGeヘテロ構造における量子ドットの谷分割に及ぼす影響について検討する。 谷分割計算のための有効質量論における新しい3次元理論モデルを提案する。 上述のスピン量子ビットの最良の選択肢は、可能な限り広義のインタフェースを考えることである。
• 参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
• License: http://creativecommons.org/publicdomain/zero/1.0/
• Abstract: The performance and scalability of silicon spin qubits depend directly on the value of the conduction band valley splitting. In this work, we investigate the influence of electromagnetic fields and the interface width on the valley splitting of a quantum dot in a Si/SiGe heterostructure. We propose a new three-dimensional theoretical model within the effective mass theory for the calculation of the valley splitting in such heterostructures that takes into account the concentration fluctuation at the interfaces and the lateral confinement. With this model, we predict that the electric field is an important parameter for valley splitting engineering, since it can shift the probability distribution away from small valley splittings for some interface widths. We also obtain a critical softness of the interfaces in the heterostructure, above which the best option for spin qubits is to consider an interface as wide as possible.
• Abstract（参考訳）: シリコンスピン量子ビットの性能と拡張性はコンダクテーションバンドのバレー分割の値に直接依存する。 本研究では,Si/SiGeヘテロ構造における量子ドットの谷分割に及ぼす電磁場と界面幅の影響について検討する。 このようなヘテロ構造における谷分割の計算のための有効質量理論における新しい3次元理論モデルを提案し、界面における濃度変動と側方閉じ込めを考慮に入れた。 このモデルを用いて,この電場が谷分割工学の重要なパラメータとなることを予測した。 また, スピン量子ビットに対する最善の選択肢は, 界面を可能な限り広く考えることである。

関連論文リスト

• Towards Utilizing Scanning Gate Microscopy as a High-Resolution Probe of Valley Splitting in Si/SiGe Heterostructures [0.0]
  本研究では, 電極近傍に形成される先端誘起量子ドットとドレイン電極が, ゲート電極から離れた領域へ断熱的に移動可能であることを示す。 我々は,Si/SiGe界面の欠陥に面した先端誘起ドットを空間的に変換することにより,谷分割の変化を検出することができると主張している。
  論文  参考訳（メタデータ） (2024-05-06T16:05:12Z)
• Spin Current Density Functional Theory of the Quantum Spin-Hall Phase [59.50307752165016]
  スピン電流密度汎関数理論を量子スピンハル相に適用する。 我々は、SCDFTの電子-電子ポテンシャルにおけるスピン電流の明示的な説明が、ディラックコーンの出現の鍵であることを示す。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-08-29T20:46:26Z)
• Valleytronic full configuration-interaction approach: An application to the excitation spectra of Si double-dot qubits [0.0]
  強い電子-電子相互作用とウィグナー-分子(WM)生成がSi量子ビットのスペクトルに及ぼす影響について検討した。 我々は、$E_rm ST E_V$と$E_rm ST E_V$の2つのケースについて結果を示す。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-08-11T03:55:52Z)
• Enhancing the Coherence of Superconducting Quantum Bits with Electric Fields [62.997667081978825]
  印加された直流電界を用いて、クォービット共鳴から外れた欠陥を調整することにより、クビットコヒーレンスを向上させることができることを示す。 また、超伝導量子プロセッサにおいて局所ゲート電極をどのように実装し、個々の量子ビットの同時コヒーレンス最適化を実現するかについても論じる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-08-02T16:18:30Z)
• Tuning long-range fermion-mediated interactions in cold-atom quantum simulators [68.8204255655161]
  コールド原子量子シミュレータにおける工学的な長距離相互作用は、エキゾチックな量子多体挙動を引き起こす。 そこで本研究では,現在実験プラットフォームで利用可能ないくつかのチューニングノブを提案する。
  論文  参考訳（メタデータ） (2022-03-31T13:32:12Z)
• Hole Spin Qubits in Ge Nanowire Quantum Dots: Interplay of Orbital Magnetic Field, Strain, and Growth Direction [0.0]
  準1次元構造のホールスピン量子ビットは、量子情報処理のための有望なプラットフォームである。 量子ビットが動作する磁場値において、磁場の軌道効果がスピン量子ビットの応答に強く影響を与えることを示す。 デバイスに垂直に印加された電場および磁場の影響を受け,Geの1次元ホールシステムについて検討した。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-10-28T12:00:26Z)
• Switching between relaxation hotspots and coldspots in disordered spin qubits [0.0]
  我々の理論は谷依存の双極子行列要素、谷分割、スピン-バレー結合の発見にどのように利用できるかを示す。 我々は、シリコンバレーの自由度がSiスピン量子ビットの利点として利用できると主張している。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-05-03T09:48:58Z)
• Chemical tuning of spin clock transitions in molecular monomers based on nuclear spin-free Ni(II) [52.259804540075514]
  単核ニッケル錯体の電子スピン準位が最も低い2つの電子準位の間に、大きさの大きい量子トンネル分割が存在することを報告する。 このギャップに関連するレベルの反交差(磁気時計遷移)は、熱容量実験によって直接監視されている。 これらの結果と、対称性によってトンネルが禁止されているCo誘導体との比較は、クロック遷移が分子間スピン-スピン相互作用を効果的に抑制することを示している。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-03-04T13:31:40Z)
• Probing the Spatial Variation of the Inter-Valley Tunnel Coupling in a Silicon Triple Quantum Dot [0.0]
  シリコン量子ドットに閉じ込められた電子は、軌道、スピン、バレー自由度を示す。 縮退性は、ひずみと電子閉じ込めのため、シリコン量子井戸で持ち上げることができる。
  論文  参考訳（メタデータ） (2021-01-29T14:08:50Z)
• Quantum anomalous Hall phase in synthetic bilayers via twistless twistronics [58.720142291102135]
  我々は超低温原子と合成次元に基づく「ツイストロン様」物理学の量子シミュレータを提案する。 本研究では,適切な条件下でのトポロジカルバンド構造を示す。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-08-06T19:58:05Z)
• Entanglement generation via power-of-SWAP operations between dynamic electron-spin qubits [62.997667081978825]
  表面音響波(SAW)は、圧電材料内で動く量子ドットを生成することができる。 動的量子ドット上の電子スピン量子ビットがどのように絡み合うかを示す。
  論文  参考訳（メタデータ） (2020-01-15T19:00:01Z)

関連論文リストは本サイト内にある論文のタイトル・アブストラクトから自動的に作成しています。

指定された論文の情報です。
本サイトの運営者は本サイト（すべての情報・翻訳含む）の品質を保証せず、本サイト（すべての情報・翻訳含む）を使用して発生したあらゆる結果について一切の責任を負いません。