論文の概要: Direct-Laser-Written Polymer Nanowire Waveguides for Broadband Single
Photon Collection from Epitaxial Quantum Dots into a Gaussian-like Mode
- arxiv url: http://arxiv.org/abs/2305.06333v1
- Date: Wed, 10 May 2023 17:42:00 GMT
- ステータス: 処理完了
- システム内更新日: 2023-05-11 11:54:17.124727
- Title: Direct-Laser-Written Polymer Nanowire Waveguides for Broadband Single
Photon Collection from Epitaxial Quantum Dots into a Gaussian-like Mode
- Title(参考訳): エピタキシャル量子ドットからガウス様モードへの広帯域単一光子集束用直接波長ポリマーナノワイヤ導波路
- Authors: Edgar Perez, Cori Haws, Marcelo Davanco, Jindong Song, Luca Sapienza,
and Kartik Srinivasan
- Abstract要約: 単一エピタキシャル量子ドット(QD)は量子光発生の先導技術である。
しかし、この放射を単一モードファイバのように望ましい光チャネルに結合することは、しばしば困難である。
直接レーザーライティング(DLW)は、フォトレジストから3次元サブミクロンの特徴を作製することを可能にする。
- 参考スコア(独自算出の注目度): 0.0
- License: http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
- Abstract: Single epitaxial quantum dots (QDs) are a leading technology for quantum
light generation, particularly when embedded in photonic devices that enhance
their emission. However, coupling this emission into a desirable optical
channel, like a single mode fiber, is often challenging. Direct laser writing
(DLW) enables the fabrication of three-dimensional sub-micron features out of
photoresist, supporting micro- and nano- scale devices that can address this
challenge. In this study, we use DLW to directly waveguide-couple
epitaxially-grown InAs/GaAs QDs by fabricating 1 $\mu$m diameter polymer
nanowires (PNWs) in contact with the GaAs substrate housing the QDs. The PNWs
are high index contrast cylindrical waveguides perpendicular to the GaAs device
layer, which couple the emission from an underlying QD to the HE$_{11}$ mode of
the PNW, enhancing the collection efficiency to a single-mode fiber. PNW
fabrication does not alter the QD device layer (e.g., via etching), making PNWs
well suited for augmenting existing photonic geometries that enhance QD
emission. We study PNWs as standalone devices and in conjunction with metallic
nanorings -- an already-established geometry for increasing vertical extraction
of light from embedded QDs. Since PNWs are fabricated on substrates that
abosorb and reflect at the DLW exposure wavelength, we report methods to
mitigate standing wave reflections and heat, which otherwise prevent PNW
fabrication. We observe a factor of ($3.0 \pm 0.7)\times$ improvement in a
nanoring system with a PNW compared to the same system without a PNW, in line
with numerical results, highlighting a PNW's ability to waveguide QD emission
and increase collection efficiency simultaneously. These results demonstrate a
new approach in which DLW can provide additional functionality for quantum
emitter photonics, in a manner compatible with existing top-down fabrication
approaches.
- Abstract(参考訳): 単一エピタキシャル量子ドット(qds: single epitaxial quantum dots)は、特に発光を増強するフォトニックデバイスに埋め込まれた場合の量子光発生における主要な技術である。
しかし、この放出を単一モードファイバーのように望ましい光チャネルに結合することはしばしば困難である。
直接レーザーライティング(DLW)は、フォトレジストから3次元サブミクロン機能を作製し、この課題に対処できるマイクロおよびナノスケールデバイスをサポートする。
本研究では、DLWを用いて、QDを収容するGaAs基板に接触して直径1$\mu$mのポリマーナノワイヤ(PNW)を作製し、エピタキシャルに成長したInAs/GaAsQDを直接導波する。
PNWはGaAsデバイス層と直交する高指数コントラスト円筒導波路であり、基礎となるQDからの放射をPNWのHE$_{11}$モードに結合し、単モードファイバへの集電効率を高める。
PNWの製造はQDデバイス層を変えない(例えばエッチング)ため、PNWはQD放出を高める既存のフォトニックジオメトリを増強するのに適している。
我々は、PNWをスタンドアロンデバイスとして、および金属ナノリングとともに研究する。
PNWはDLW照射波長で吸収・反射する基板上に作製されるため, 定在波反射と熱を緩和する方法を報告する。
我々は,PNWのないナノリングシステムにおいて,PNWのない同じシステムに対して,PNWのないナノリングシステムにおいて(3.0 \pm 0.7)\times$改善の要因を数値的に観察し,QD放出を導出し,収集効率を同時に向上するPNWの能力を強調した。
これらの結果は、dlwが既存のトップダウン製造手法と互換性のある方法で量子エミッタフォトニクスに付加的な機能を提供する新しいアプローチを示している。
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