Fugu-MT 論文翻訳(概要): Interacting Random-field Dipole Defect Model for Heating in Semiconductor-based Qubit Devices

論文の概要: Interacting Random-field Dipole Defect Model for Heating in Semiconductor-based Qubit Devices

arxiv url: http://arxiv.org/abs/2308.00711v1
Date: Sat, 29 Jul 2023 18:29:35 GMT
ステータス: 処理完了
システム内更新日: 2023-08-03 15:09:28.558709
Title: Interacting Random-field Dipole Defect Model for Heating in Semiconductor-based Qubit Devices
Title（参考訳）: 半導体ベースの量子ビットデバイスにおける加熱のための干渉ランダム場双極子欠陥モデル
Authors: Yujun Choi and Robert Joynt
Abstract要約: キュービット動作周波数のシフトは、ゲート操作を適用する際のシステムの加熱と直接関係しているように見える。この現象の主な特徴は、電荷ノイズを発生させる2レベルシステムによって説明できることを示す。この理論の成功は、2段階系の可能なモデルをかなり狭めている。
参考スコア（独自算出の注目度）: 0.0
License: http://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/
Abstract: Semiconductor qubit devices suffer from the drift of important device parameters as they are operated. The most important example is a shift in qubit operating frequencies. This effect appears to be directly related to the heating of the system as gate operations are applied. We show that the main features of this phenomenon can be explained by the two-level systems that can also produce charge noise, if these systems are considered to form an interacting random-field glass. The most striking feature of the theory is that the frequency shift can be non-monotonic in temperature. The success of the theory narrows considerably the possible models for the two-level systems.
Abstract（参考訳）: 半導体量子ビットデバイスは、操作中に重要なデバイスパラメータのドリフトに悩まされる。最も重要な例はqubitの動作周波数の変化である。この効果は、ゲート操作を適用する際のシステムの加熱と直接関係しているように見える。この現象の主な特徴は、相互作用するランダムフィールドガラスであると考えられる場合、電荷ノイズを発生させる2段階のシステムによって説明できることを示す。この理論の最も顕著な特徴は、周波数シフトが温度で非単調となることである。この理論の成功は、2レベルシステムの可能なモデルをかなり狭めている。

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